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1. (WO2002025717) TRANCHE DE SILICIUM, TRANCHE EPITAXIALE DE SILICIUM ET PROCEDES DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/025717    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/008006
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 14.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.03.2002    
CIB :
C30B 33/00 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (Tous Sauf US).
QU, Wei Feig [CN/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYAMIZU, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKENO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : QU, Wei Feig; (JP).
HAYAMIZU, Yoshinori; (JP).
TAKENO, Hiroshi; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-286054 20.09.2000 JP
Titre (EN) SILICON WAFER AND SILICON EPITAXIAL WAFER AND PRODUCTION METHODS THEREFOR
(FR) TRANCHE DE SILICIUM, TRANCHE EPITAXIALE DE SILICIUM ET PROCEDES DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A silicon wafer having a DZ layer in the vicinity of the surface thereof and an oxygen deposition layer in a bulk unit, wherein each of interstitial oxygen concentrations in the DZ layer, the oxygen deposition layer and in a transition layer between the DZ layer and the oxygen deposition layer is up to 8 ppma; a silicon epitaxial wafer having an epitaxial layer formed on the surface of this silicon wafer; and a production method of a silicon wafer, comprising the steps of growing a silicon single-crystal rod having an initial interstitial oxygen concentration of 10-25 ppma by a CZ method, processing the silicon single-crystal rod into a wafer, and subjecting the wafer to a first heat treating at 950-1050 °C for 2-5 hours, a second heat treating at 450-550 °C for 4-10 hours, a third heat treating at 750-850 °C for 2-8 hours, and a fourth heat treating at 950-1100 °C for 8-24 hours, whereby providing the production method of a silicon wafer capable of ensuring a high resistivity despite a device production heat treating.
(FR)Cette invention concerne une tanche de silicium présentant une couche DZ à proximité de la surface et une couche de dépôt d'oxygène dans la masse, chacune des concentrations d'oxygène interstitiel dans la couche DZ, la couche de dépôt d'oxygène et une couche de transition entre la couche DZ et la couche de dépôt d'oxygène ne dépassant pas 8 ppma. L'invention concerne également une tranche épitaxiale de silicium comportant une couche épitaxiale formée sur sa surface, obtenue de la manière suivante : tirage CZ d'un barreau de silicium monocristallin présentant une concentration d'oxygène interstitiel initial de 10-25 ppma ; transformation de cette tige de monocristal de silicium en une tranche ; et exposition de cette tranche à un premier traitement thermique à 950-1050 °C pendant 2 à 5 heures, à un second traitement thermique à 450-550 °C pendant 4-10 heures, à un troisième traitement thermique à 750-850 °C pendant 2-8 heures, et à un quatrième traitement thermique à 950-12100 °C pendant 8-24 heures, ce qui permet d'obtenir une tranche de silicium caractérisée par une résistivité élevée malgré le traitement thermique.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)