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1. (WO2002025706) APPAREIL ET PROCEDE POUR LE TRAITEMENT PAR LOTS DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS DANS LA PRODUCTION DE LASERS A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/025706    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/029468
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 20.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.04.2002    
CIB :
B28D 5/00 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/028 (2006.01)
Déposants : ADC TELECOMMUNICATIONS, INC. [US/US]; Law Department, MS #32 13625 Technology Drive Eden Prairie, MN 55344-2252 (US)
Inventeurs : HUBBARD, Kevin, J.; (US).
MCELHINNEY, Mark; (US).
PRIDDY, Scott, W.; (US).
COLOMBO, Paul, E.; (US)
Mandataire : BINDER, Mark, W.; KAGAN BINDER, PLLC Suite 200 Maple Island Building 221 Main Street North Stillwater, MN 55082 (US)
Données relatives à la priorité :
09/667,068 21.09.2000 US
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR BATCH PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES IN MAKING SEMICONDUCTOR LASERS
(FR) APPAREIL ET PROCEDE POUR LE TRAITEMENT PAR LOTS DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS DANS LA PRODUCTION DE LASERS A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus and method for batch processing semiconductor lasers producing substantially contamination free laser bar end surfaces for optimal growth of end surface layers are provided. The method includes loading a laser cell comprising a plurality of laser bars and an empty cassette capable of holding a plurality of laser bars into a cleaving chamber and pumping the cleaving chamber down to a desired pressure. Next, a cleaving cycle is performed in which an end laser bar is cleaved off the laser cell. Laser bars are deposited in the cassette. The cassette is then moved into a deposition chamber where a layer of material is deposited on one end surface of all of the laser bars.
(FR)L'invention concerne un appareil et un procédé pour le traitement par lots de lasers à semi-conducteurs, permettant de produire des surfaces d'extrémités de barres laser pratiquement exemptes de contamination, pour la croissance optimale de couches superficielles d'extrémité. Le procédé comprend les étapes consistant à charger une cellule laser comprenant une pluralité de barres laser et une cassette vide pouvant contenir une pluralité de barres laser dans une chambre de clivage, et à faire le vide dans cette chambre de clivage jusqu'à une pression désirée. Ensuite est accompli un cycle de clivage au cours duquel une barre laser d'extrémité est clivée hors de la cellule laser. Les barres laser sont déposées dans la cassette. La cassette est ensuite conduite dans une chambre de dépôt, dans laquelle une couche de matière est déposée sur une surface d'extrémité de toutes les barres laser.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)