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1. (WO2002025699) MATRICE ACTIVE TFT POUR CAPTEUR OPTIQUE COMPORTANT UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE PHOTOSENSIBLE, ET CAPTEUR OPTIQUE COMPORTANT UNE TELLE MATRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/025699    N° de la demande internationale :    PCT/FR2001/002900
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 18.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.04.2002    
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : THALES AVIONICS LCD S.A. [FR/FR]; 173 boulevard Haussmann F-75008 PARIS (FR) (Tous Sauf US).
SANSON, Eric [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
SZYDLO, Nicolas [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : SANSON, Eric; (FR).
SZYDLO, Nicolas; (FR)
Mandataire : CHAVERNEFF, Vladimir; Thales Intellectual Property 13 avenue du Président Salvador Allende F-94117 Arcueil Cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
00/11927 19.09.2000 FR
Titre (EN) TFT MATRIX FOR OPTICAL SENSOR COMPRISING A PHOTOSENSITIVE SEMICONDUCTOR LAYER, AND OPTICAL SENSOR COMPRISING SUCH AN ACTIVE MATRIX
(FR) MATRICE ACTIVE TFT POUR CAPTEUR OPTIQUE COMPORTANT UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE PHOTOSENSIBLE, ET CAPTEUR OPTIQUE COMPORTANT UNE TELLE MATRICE
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns an active TFT matrix for optical sensor comprising a substrate, a TFT transistor matrix formed on said substrate, a set of transistor control lines (3); a conductor level (4) according to a specific pattern forming an electrode array (5), each electrode (5) defining a zone called pixel; a set of columns (10) for load transfer between the electrodes (5) and an external electronics. The pixel electrode (5) is located entirely inside an outline delimited by two lines (3) and two successive columns (10), a protective gap (g1, g2) being provided between the inside edge of said outline and the periphery of the pixel (5) such that the pixel electrode (5) does not cover either the lines (3) or the columns (10).
(FR)Matrice active TFT pour capteur optique comprenant un substrat , une matrice de transistors TFT formée sur ce substrat, un ensemble de lignes (3) de commande des transistors; un niveau de conducteur (4) selon un motif déterminé formant une matrice d'électrodes (5), chaque électrode (5) définissant une zone appelée pixel ; un ensemble de colonnes (10) permettant un transfert de charge entre les électrodes (5) et une électronique extérieure. Une électrode de pixel (5) est située entièrement à l'intérieur d'un contour délimité par deux lignes (3) et deux colonnes successives (10), une distance de garde (g1,g2) étant prévue entre le bord intérieur de ce contour et la périphérie du pixel (5) de telle sorte que l'électrode de pixel (5) ne recouvre ni les lignes (3) ni les colonnes (10).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)