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1. (WO2002025691) PROCEDE D'INSPECTION D'UN FAISCEAU D'ELECTRONS ET DISPOSITIF ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/025691    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/008096
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 18.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    31.01.2002    
CIB :
G01N 23/04 (2006.01), H01J 37/28 (2006.01)
Déposants : ADVANTEST CORPORATION [JP/JP]; 32-1, Asahicho 1-chome Nerima-ku, Tokyo 179-0071 (JP) (Tous Sauf US).
KINTAKA, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUMOTO, Jun [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KINTAKA, Akira; (JP).
MATSUMOTO, Jun; (JP)
Mandataire : KUSANO, Takashi; Sagami Building 2-21, Shinjuku 4-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-0022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-283641 19.09.2000 JP
Titre (EN) ELECTRON BEAM INSPECTING METHOD AND ITS DEVICE
(FR) PROCEDE D'INSPECTION D'UN FAISCEAU D'ELECTRONS ET DISPOSITIF ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)To decrease the number of irradiations of an object portion to be inspected with an electron beam, a stage (14) is moved under an optical microscope (12). The object portion is shot by means of the optical microscope, and the image is processed to determine the position (Xt0, Yt0, Zt0) of the object portion. The position (XS0, YS0, ZS0) of a reference point of a reference member (53) is similarly determined. The stage is moved to an electron beam irradiation position and controlled so that the electron beam may be focused onto the reference member. An SEM image of the reference point portion is formed and the image is processed to determine the position (XSB, YSB, ZSB). The stage is moved to the position (X, Y, Z) where X=Xt0+(XSB-XS0), Y=Yt0+(YSB-SS0), Z=Zt0+(ZSB-ZS0), and the object portion (25) is irradiated with the electron beam to inspect it.
(FR)Afin de diminuer le nombre d'expositions aux rayonnements d'une partie d'objet à analyser avec un faisceau d'électrons, un porte-échantillon (14) est mis en mouvement sous un microscope optique (12). La partie de l'objet est photographiée au microscope optique, et l'image est traitée afin de déterminer la position (X¿t0?, Y¿t0?, Z¿t0?) de la partie de l'objet. La position (X¿S0?, Y¿S0?, Z¿S0?) d'un point de référence d'un élément de référence (53) est déterminé de manière similaire. Le porte-échantillon est déplacé vers une position d'exposition aux rayonnements d'un faisceau d'électrons et commandé de manière que le faisceau d'électrons soit focalisé sur l'élément de référence. Une image par microscopie électronique à balayage de surface de la partie du point de référence est formée et l'image est traitée de manière à déterminer la position (X¿SB?, Y¿SB?, Z¿SB?). Ce porte-échantillon est déplacé vers la position (X, Y, Z), X = X¿t0? + (X¿SB? - X¿S0?), Y = Y¿t0? + (Y¿SB? - Y¿S0?), Z = Z¿t0? + (Z¿SB? - Z¿S0?), la partie de l'objet (25) étant exposée aux rayonnements du faisceau d'électrons en vue de l'analyser.
États désignés : CN, JP, PH, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)