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1. (WO2002025373) PROCEDE DE CONCEPTION ET DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES UTILISANT DES MATRICES ET DES RESEAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/025373    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/028777
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 13.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.03.2002    
CIB :
G03F 1/00 (2012.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 (US)
Inventeurs : FRITZE, Michael; (US).
TYRRELL, Brian; (US)
Mandataire : CONNORS, Matthew, E.; Samuels, Gauthier & Stevens, LLP 225 Franklin Street, Suite 3300 Boston, MA 02110 (US)
Données relatives à la priorité :
60/232,451 13.09.2000 US
60/271,850 27.02.2001 US
Titre (EN) METHOD OF DESIGN AND FABRICATION OF INTEGRATED CIRCUITS USING REGULAR ARRAYS AND GRATINGS
(FR) PROCEDE DE CONCEPTION ET DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES UTILISANT DES MATRICES ET DES RESEAUX
Abrégé : front page image
(EN)A circuit fabrication and lithography process utilizes a mask including dense repetitive structures of features that result in a wide array of fine densely populated features on the exposed substrate film. Following this, a trimming procedure is performed to remove any unwanted fine patterned features providing multiple trimmed patterns on the substrate. An optional final step adds additional features as wall as the interconnect features thus forming a circuit pattern. In this manner, all fine features may be generated using the exact same density of intensity patterns, and therefore, maximum consistency between features is established without the need for optical proximity correction. The secondary exposures are substantially independent from the initial dense-feature exposure in that the exposure of one set of features and the subsequent exposure of another set of features result in separate independent resist or masking layer reactions, thus minimizing corner roundign, line end shortening and other related spatial frequency effects and unwanted exposure memory effects.
(FR)Un circuit de fabrication et un procédé de lithographie utilise un masque comportant des structures répétitives denses d'éléments résultant en un vaste réseau de d'éléments fins à forte densité sur un film-support exposé. Par la suite on effectue une opération de découpage en vue d'éliminer les éléments à motifs fins indésirables réalisant de multiples motifs découpés sur le substrat. Une étape finale éventuelle consiste à ajouter des éléments supplémentaires en tant que paroi et d'éléments d'interconnexion constituant ainsi un modèle de circuit. Ainsi, tous les éléments fins peuvent être générés en utilisant exactement la même densité de modèles d'intensité, et par conséquent, une constance maximale est réalisée entre les éléments ne nécessitant pas de correction de proximité optique. Les expositions secondaires sont sensiblement indépendantes de l'exposition initiale à densité d'éléments en ce que l'exposition d'un ensemble d'éléments et l'exposition ultérieure d'un autre ensemble d'éléments conduit à des réactions de résistance et de masquage indépendantes, minimisant ainsi l'arrondissement des angles, et le raccourcissement des extrémités des lignes et d'autre effets de fréquence spatiale et des effets de mémoire d'exposition indésirables.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)