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1. (WO2002024985) ORGANE D"ENTREE DE GAZ DESTINE A UN PROCEDE ET A UN DISPOSITIF DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/024985    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/008139
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 14.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.03.2002    
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01)
Déposants : AIXTRON AG [DE/DE]; Kackertstrasse 15-17 52072 Aachen (DE) (Tous Sauf US).
STRAUCH, Gerd [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KÄPPELER, Johannes [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
DAUELSBERG, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : STRAUCH, Gerd; (DE).
KÄPPELER, Johannes; (DE).
DAUELSBERG, Martin; (DE)
Mandataire : GRUNDMANN, Dirk; Corneliusstrasse 45 42329 Wuppertal (DE)
Données relatives à la priorité :
100 61 671.2 22.09.2000 DE
100 64 941.6 23.12.2000 DE
Titre (DE) GASEINLASSORGAN FÜR CVD-VERFAHREN UND VORRICHTUNG
(EN) GAS INLET MECHANISM FOR CVD-METHOD AND DEVICE
(FR) ORGANE D"ENTREE DE GAZ DESTINE A UN PROCEDE ET A UN DISPOSITIF DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden von insbesondere kristallinen Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten, wobei zumindest zwei Prozessgase getrennt voneinander durch ein Gaseinlassorgan oberhalb eines beheizten Suszeptors (16) in eine Prozesskammer (1) eines Reaktors eingeleitet werden, wobei das erste Prozessgas durch eine zentrale Leitung (2) mit einer zentralen Austrittsöffnung (3) und das zweite Prozessgas durch eine dazu periphere Leitung (4) mit von einem gasdruchlässigen Gasauslassring (6) gebildeten peripheren Austrittsöffnung strömt, welcher Gasauslassring (6) eine ringförmige Vorkammer (8) umgibt. Zur Vermeidung einer parasitären Deposition im Bereich der peripheren Austrittsöffnung ist vorgesehen, dass zufolge einer Kegelstumpf- oder Rotationshyperboloid-Form einer von der Vorkammerrückwand (15) gebildeten Gasleitfläche der dem Suszeptor zugewandte Endabschnitt (6") des Gasauslassringes (6) bzw. der radial äussere Abschnitt der die zentrale Austrittsöffnung (3) umgebenden Stirnseite des Gasauslassorgans vom zweiten Prozessgas gekühlt wird.
(EN)The invention relates to a method for depositing especially, crystalline layers onto especially, crystalline substrates. At least two process gases are led into a process chamber (1) of a reactor separately from each other, through a gas inlet mechanism above a heated susceptor (16). The first process gas flows through a central line (2) with a central outlet opening (3) and the second process gas flows through a line which is peripheral thereto and which has a peripheral outlet opening that is formed by a gas-permeable gas outlet ring (6). Said gas outlet ring (6) surrounds a ring-shaped pre-chamber (8). The invention provides that in order to avoid a parasitic deposition in the area of the peripheral outlet opening, the end section (6") of the gas outlet ring (6) that faces towards the susceptor or the radially outer section of the surface of the gas outlet mechanism surrounding the central outlet opening (3) is cooled by the second process gas according to a truncated cone or revolution hyperboloid shape of a gas guiding surface formed by the pre-chamber back wall (15).
(FR)L"invention concerne un procédé de séparation notamment de couches cristallines appliquées notamment sur des substrats cristallins. Au moins deux gaz de processus sont introduits séparément dans une chambre de traitement (1) d"un réacteur par un organe d"entrée de gaz situé au-dessus d"un suscepteur chauffé (16). Le premier gaz s"écoule par une conduite centrale (2) pourvue d"un orifice de sortie central (3) et le deuxième gaz par une conduite périphérique (4) pourvue d"un orifice de sortie périphérique constitué d"une bague d"évacuation de gaz (6) perméable au gaz. Cette bague d"évacuation (6) entoure une préchambre annulaire (8). L"invention vise à éviter tout dépôt parasite dans la zone de l"orifice de sortie périphérique. A cet effet, la section terminale (6"), tournée vers le suscepteur, de la bague d"évacuation de gaz (6) ou la section externe radiale de la face frontale de l"organe de sortie de gaz, face entourant l"orifice de sortie central (3), est refroidie par le deuxième gaz puisqu"une surface conductrice de gaz, formée par la paroi arrière (15) de la préchambre, a une forme de cône tronqué ou d"hyperboloïde de révolution.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)