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1. (WO2002023716) PROCEDE ET CIRCUITS POUR AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023716    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/028589
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 11.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.04.2002    
CIB :
H03F 3/217 (2006.01), H03K 17/0416 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01)
Déposants : SILICON LABORATORIES, INC. [US/US]; 4635 Boston Lane, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
DUPUIS, Timothy, J. [CA/US]; (US) (US Seulement).
PAUL, Susanne, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DUPUIS, Timothy, J.; (US).
PAUL, Susanne, A.; (US)
Mandataire : JOHNSON, Bruce, A.; PO Box 90698-0698, Austin, TX 78709-0698 (US)
Données relatives à la priorité :
09/660,123 12.09.2000 US
Titre (EN) POWER AMPLIFIER CIRCUITRY AND METHOD
(FR) PROCEDE ET CIRCUITS POUR AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus is provided for use in power amplifiers for reducing the peak voltage that transistors are subjected to. A power amplifier (M1+, M2+, M3+, M4+, M1-, M2-, M3-, M4-) is provided with first (M5+, M5-)and second (M6+, M6-) switching devices and an inductor (L3+, L3-) connected between the switching devices. The switching devices are driven such that the switching devices are turned on and off during the same time intervals.
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif destinés à des amplificateurs de puissance pour réduire les tensions de crête auxquelles sont soumis les transistors. La présente invention concerne également un amplificateur de puissance comprenant un premier et un deuxième dispositif de commutation, ainsi qu'un inducteur connecté entre les deux. Ces dispositifs de commutation sont pilotés de telle sorte qu'ils sont mis en marche et à l'arrêt durant les mêmes intervalles de temps.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)