WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002023706) CIRCUIT A POMPE DE CHARGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023706    N° de la demande internationale :    PCT/DE2001/003427
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 06.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.04.2002    
CIB :
H02M 3/07 (2006.01), H03K 17/0422 (2006.01), H03K 17/06 (2006.01), H03K 17/66 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
AUSSERLECHNER, Udo [AT/AT]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : AUSSERLECHNER, Udo; (AT)
Mandataire : EPPING HERMANN & FISCHER; Ridlerstrasse 55, 80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
100 45 693.6 15.09.2000 DE
Titre (DE) LADUNGSPUMPENSCHALTUNG
(EN) CHARGE PUMP CIRCUIT
(FR) CIRCUIT A POMPE DE CHARGE
Abrégé : front page image
(DE)Es ist eine Ladungspumpenschaltung zur Bereitstellung einer Ausgangsspannung (UA), welche grösser als eine Versorgungsspannung (VDD) der Ladungspumpenschaltung ist, angegeben, mit einem ersten und einem zweiten Ladungsspeicher (C1, C2), welche derart angesteuert und miteinander verschaltet sind, dass die Ausgangsspannung (UA) höher ist als die Spannungsfestigkeit der einzelnen Kondensatoren (C1, C2). In Abhängigkeit von einem Hochfrequenz-Signal (CLK) werden Schaltmittel (T2, T3) abwechselnd ein- und ausgeschaltet, so dass während einer ersten Taktphase der erste Ladungsspeicher (C1) aufgeladen und während einer zweiten Taktphase die Ladung des ersten Ladungsspeichers (C1) auf den zweiten Ladungsspeicher (C2) übertragen wird. Die Ladungspumpenschaltung zeichnet sich durch geringen Strombedarf, hohe Ausgangsspannungen (UA) und die Bereitstellung einer Ausgangsspannung (UA) mit kleinem Innenwiderstand aus. In einer bevorzugten Ausführungsform weisen die Schaltmittel Bipolar-Transistoren, ausgestattet mit Anti-Sättigungsschaltungen (AS1, AS2) auf.
(EN)A charge pump circuit for production of an output voltage (UA), greater than a supply voltage (VDD) for the charge pump circuit is disclosed, comprising a first and a second charge store (C1, C2), which are controlled in such a way and connected to each other such that the output voltage (UA) is higher than the voltage limit of the individual capacitors (C1, C2). Switching means (T2, T3) are alternately switched on and off depending on a high frequency signal (CLK) so that during a first clock phase the first charge store (C1) is charged up and during a second clock phase the charge in the first charge store is transferred to the second charge store (C2). The charge pump circuit is characterised in low current requirement, high output voltages (UA) and generation of an output voltage (UA) with low internal resistance. In a preferred embodiment the switching means comprise bipolar transistors, fitted with anti-saturation circuits (AS1, AS2).
(FR)L'invention concerne un circuit à pompe de charge pour la production d'une tension de sortie (UA) supérieure à une tension d'alimentation (VDD) du circuit à pompe de charge. Ledit circuit comprend un premier et un deuxième accumulateur de charge (C1, C2), commandés et connectés l'un à l'autre, de sorte que la tension de sortie (UA) est supérieure à la résistance diélectrique des condensateurs individuels (C1, C2). En fonction d'un signal haute fréquence (CLK), des moyens de commutation (T2, T3) sont ouverts et fermés alternativement, de sorte que, pendant une première phase d'horloge, le premier accumulateur de charge (C1) est chargé et, pendant une deuxième phase d'horloge, la charge du premier accumulateur de charge (C1) est transférée au deuxième accumulateur de charge (C2). Ce circuit à pompe de charge se caractérise par une faible consommation de courant, des tensions de sortie (UA) élevées et la production d'une tension de sortie (UA) à faible résistance interne. Dans un mode de réalisation préféré, les moyens de commutation comportent des transistors bipolaires équipés de circuits anti-saturation (AS1, AS2).
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)