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1. (WO2002023685) LASER A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023685    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/005744
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 03.07.2001
CIB :
H01S 5/16 (2006.01), H01S 5/223 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 545-8522 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUMOTO, Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KONUSHI, Fumihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWATO, Shinichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUMOTO, Mitsuhiro; (JP).
KONUSHI, Fumihiro; (JP).
KAWATO, Shinichi; (JP)
Mandataire : AOYAMA, Tamotsu; AOYAMA & PARTNERS IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 540-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-277449 13.09.2000 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) LASER A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor laser device comprises, at least on a substrate, a first clad layer of first conductivity type, an active layer, a second clad layer of second conductivity type, a current blocking layer having a defect part of stripe shape extending toward a resonator, a third clad layer of second conductivity type burried in the stripe-shaped defect part, and a protective layer of second conductivity type provided on the third clad layer. The active layer comprises a window region adjacent to at least one edge face and an internal region having a multiple quantum well structure. The window region is formed by irradiating the internal region with an ion beam from the second clad layer side, and thereafter performing a heat treatment (RTA). The peak wavelength $g(l)w of the photoluminescence from the window region satisfies the inequality $g(l)w$m(F)$g(l)i-5nm where $g(l)i is the peak wavelength of the photoluminescence from the internal region, and the half width of the peak is narrower than that of the photoluminescence from the internal region.
(FR)L'invention concerne un laser à semi-conducteurs comprenant, sur un substrat au moins, une première couche plaquée présentant un premier type de conductivité, une couche active, une deuxième couche plaquée présentant un deuxième type de conductivité, une couche bloquante comprenant une partie à défaut présentant une forme en bande qui s'étend vers un résonateur, une troisième couche plaquée présentant un troisième type de conductivité située dans la partie à défaut en forme de bande, et une couche de protection présentant un deuxième type de conductivité située sur la troisième couche plaquée. La couche active comprend une zone de fenêtre adjacente à au moins une face de bord et une zone interne comprenant une structure à puits quantiques multiples. La zone de fenêtre est formée selon un procédé consistant à soumettre la zone interne au rayonnement d'un faisceau ionique du côté de la deuxième couche plaquée, puis à effectuer un traitement thermique (RTA). La longueur d'onde maximale $g(l)w de la photoluminescence de la zone de fenêtre satisfait l'inégalité $g(l)w$m(F)$g(l)i-5nm, dans laquelle $g(l)i représente la longueur d'onde maximale de la photoluminescence de la zone interne, la demi-largeur de la valeur maximale étant plus petite que celle de la photoluminescence de la zone interne.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)