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1. (WO2002023641) PROCEDE DE MISE EN PLACE D'OUVERTURES VERS L'ATMOSPHERE ET D'OUVERTURES MENAGEES DANS UN OXYDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023641    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/028689
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 14.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.04.2002    
CIB :
H01L 31/0304 (2006.01), H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/14 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01), H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01)
Déposants : REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 5th Floor, Oakland, CA 94607-5200 (US)
Inventeurs : KIM, Jim, Kwang; (US).
HUNTINGTON, Andrew, Sumika; (US)
Mandataire : BOBYS, Marc; Oppenheimer Wolff & Donnelly LLP, 2029 Century Park East, Suite 3800, Los Angeles, CA 90067-3024 (US)
Données relatives à la priorité :
60/233,013 15.09.2000 US
Titre (EN) OXIDE AND AIR APERTURES AND METHOD OF MANUFACTURE
(FR) PROCEDE DE MISE EN PLACE D'OUVERTURES VERS L'ATMOSPHERE ET D'OUVERTURES MENAGEES DANS UN OXYDE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention creates oxide and air apertures in material systems, such as InP, that do not usually accommodate epitaxial incorporation of highly oxidizing materials, such as AIAs, of sufficient thickness to adequately provide optical as well as current aperturing. A composite structure of relatively slowly oxidizing layer or layers (e.g. AllnAs on InP) with a faster-oxidizing layer or layers (e.g. AIAs on InP) can be used to produce oxide and air apertures of various shapes and sizes, and to also increase the oxidation rate.
(FR)Cette invention a trait à la formation d'ouvertures vers l'atmosphère et d'ouvertures ménagées dans de l'oxyde dans des matériaux tels que des système au phosphure d'indium (InP), lesquels systèmes n'acceptent pas, ordinairement, une incorporation épitaxiale de matériaux à fort pouvoir oxydant, tels que AIAs, ces matériaux ayant une épaisseur suffisante pour permettre la formation d'orifices optiques et d'orifices pour le passage de courant. Il est possible d'utiliser une structure composite constituée d'une ou de plusieurs couches à pouvoir oxydant relativement lent (par exemple, AllnAs sur InP) et d'une ou de plusieurs couches à pouvoir oxydant rapide (par exemple, AIAs sur InP) pour former ces ouvertures, de formes et de dimensions variées, ainsi que pour accélérer la vitesse d'oxydation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)