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1. (WO2002023609) PROCEDE DE GRAVURE DE SILICIUM A VITESSE ELEVEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023609    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/007962
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 13.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.02.2002    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-8001 (JP) (Tous Sauf US).
MIMURA, Takanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGASEKI, Kazuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAI, Itsuko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHIWA, Tokuhisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIMURA, Takanori; (JP).
NAGASEKI, Kazuya; (JP).
SAKAI, Itsuko; (JP).
OHIWA, Tokuhisa; (JP)
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE 7-2, Kasumigaseki 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-280376 14.09.2000 JP
Titre (EN) HIGH SPEED SILICON ETCHING METHOD
(FR) PROCEDE DE GRAVURE DE SILICIUM A VITESSE ELEVEE
Abrégé : front page image
(EN)A high speed silicon etching method, comprising the steps of installing a processed body (W) with a silicon area in contact with a processing space in a processing chamber holdable in a vacuum, leading etching gas into the processing chamber to generate a gas atmosphere with a gas pressure of 13 to 1333 Pa (100 mTorr to 10 Torr), and applying a high frequency power to the gas atmosphere to generate a plasma, whereby a silicon area etching speed can be more increased because the sum of the quantity of charged particles such as ions and the quantity of radicals are increased in the plasma.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure de silicium à vitesse élevée consistant à mettre un corps traité (W) pourvu d'une zone de silicium en contact avec un espace de traitement dans une chambre de traitement manipulable sous vide, à acheminer un gaz de gravure dans cette chambre de traitement en vue de produire une atmosphère gazeuse présentant une pression de gaz comprise entre 13 et 1333 Pa (entre 100 millitorrs et 10 torrs), puis à soumettre cette atmosphère gazeuse à une énergie à fréquence élevée de manière à produire une plasma. L'augmentation de la quantité de particules chargées, telles que les ions, et de radicaux dans le plasma permet d'augmenter la vitesse de gravure de la zone de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)