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1. (WO2002023607) PROCEDE DE FORMATION DE SILICIUM POREUX PAR GRAVURE CHIMIQUE ASSISTEE PAR UN METAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023607    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/028934
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 14.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.03.2002    
CIB :
H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS [US/US]; 352 Henry Administration Building Urbana, IL 61801 (US)
Inventeurs : LI, Xiuling; (US).
BOHN, Paul, W.; (US).
SWEEDLER, Jonathan, V.; (US)
Mandataire : FALLON, Steven, P.; Greer, Burns & Crain, Ltd. Suite 2500 300 South Wacker Drive Chicago, IL 60606 (US)
Données relatives à la priorité :
09/662,682 15.09.2000 US
Titre (EN) METAL-ASSISTED CHEMICAL ETCH POROUS SILICON FORMATION METHOD
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE SILICIUM POREUX PAR GRAVURE CHIMIQUE ASSISTEE PAR UN METAL
Abrégé : front page image
(EN)A thin discontinuous layer of metal such as Au, Pt, or Au/Pd is deposited on a silicon surface. The surface is then etched in a solution including HF and an oxidant for a brief period, as little as a couple seconds to one hour. A preferred oxidant is H¿2?O¿2?. Morphology and light emitting properties of porous silicon can be selectively controlled as a function of the type of metal deposited, Si doping type, silicon doping level, and/or etch time. Electrical assistance is unnecessary during the chemical etching of the invention, which may be conducted in the presence or absence of illumination.
(FR)Selon cette invention, une fine couche discontinue de métal tel que Au, Pt, ou Au/Pd est déposée sur une surface de silicium. Cette surface est ensuite gravée dans une solution contenant HF et un oxydant pour une période brève allant de deux secondes à une heure. De préférence, l'oxydant est H¿2?O¿2?. La morphologie et les propriétés d'émission de lumière du silicium poreux peuvent être commandées de manière sélective en fonction du type de métal déposé, du type de dopage Si, du niveau de dopage du silicium, et/ou du temps de gravure. Selon cette invention, une assistance électrique n'est pas nécessaire durant la gravure chimique, laquelle peut avoir lieu en présence ou en l'absence d'illumination.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)