WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002023603) PROCEDE D'EPITAXIE DE NITRURE (D'INDIUM, D'ALUMINIUM, DE GALLIUM) SUR DES SUBSTRATS ETRANGERS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023603    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/009713
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 22.08.2001
CIB :
C30B 23/02 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN [DE/DE]; Strasse des 17. Juni 125 10623 Berlin (DE) (Tous Sauf US).
STRITTMATTER, André [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KROST, Alois [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BIMBERG, Dieter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : STRITTMATTER, André; (DE).
KROST, Alois; (DE).
BIMBERG, Dieter; (DE)
Mandataire : GULDE, Klaus, W.; Gulde Hengelhaupt Ziebig Schützenstrasse 15 - 17 10117 Berlin (DE)
Données relatives à la priorité :
100 41 285.8 22.08.2000 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR EPITAXIE VON (INDIUM, ALUMINIUM, GALLIUM)-NITRID AUF FREMDSUBSTRATEN
(EN) METHOD FOR THE EPITAXY OF (INDIUM, ALUMINUM, GALLIUM) NITRIDE ON FOREIGN SUBSTRATES
(FR) PROCEDE D'EPITAXIE DE NITRURE (D'INDIUM, D'ALUMINIUM, DE GALLIUM) SUR DES SUBSTRATS ETRANGERS
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Epitaxie von (Indium, Aluminium, Gallium)-nitrid auf Fremdsubstraten. Die Aufgabe der Erfindung liegt in der Suche nach einem maskenfreien Prozess, der dennoch die Vorteile des Versetzungsabbaus durch laterales Überwachsen ermöglicht. Die Lösung der Aufgabe erfolgt dadurch, dass auf der Oberfläche von Substraten (1) Vertiefungen (7) eingebracht werden, wobei die Wände (4) der Vertiefungen (7) so beschaffen sind, dass die Wachstumsfronten der (In, Al, Ga)N-Schichten (3) auf den Böden der Vetiefungen (7) und auf den dazwischen befindlichen Erhebungen (6) voneinander getrennt sind.
(EN)The invention relates to a method for the epitaxy of (indium, aluminum, gallium) nitride on foreign substrates. The aim of the invention involves the search for a mask-free process, which still permits the advantages offered by a reduction in dislocation effected by lateral overgrowth. To this end, the invention provides that recesses (7) are provided on the surface of substrates (1), whereby the walls (4) of the recesses (7) are made in such a manner that the growth fronts of the (In, Al, Ga)N layers (3) are separated from one another on the bottoms of the recesses (7) and on the elevations (6) located therebetween.
(FR)La présente invention concerne un procédé d'épitaxie de nitrure (d'indium, d'aluminium, de gallium) sur des substrats étrangers. L'objectif de la présente invention est de mettre au point un processus sans masque, qui offre cependant les avantages d'une suppression de dislocation par surcroissance latérale. A cette fin, des évidements (7) sont pratiqués à la surface de substrats (1) et les parois (4) de ces évidements (7) sont conçues de façon que les fronts de croissance des couches en (In, Al, Ga)N (3) sont séparés les uns des autres aux fonds des évidements (7) et sur les élévations (6) se trouvant entre ces évidements.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)