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1. (WO2002023601) PROCEDE D'INTEGRATION POUR GRAVURE DE CONTACTS DE MASQUE DUR AU MOYEN D'UNE TECHNIQUE DE RESISTANCE AMELIOREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023601    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/026647
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 27.08.2001
CIB :
H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North First Street San Jose, CA 95112-4508 (US)
Inventeurs : STETTER, Michael; (US).
SCHROEDER, Uwe Paul; (US)
Mandataire : BRADEN, Stanton C.; Siemens Corporation - Intellectual Property Dept. 186 Wood Ave. South Iselin, NJ 08830 (US)
Données relatives à la priorité :
09/662,214 14.09.2000 US
Titre (EN) METHOD FOR CONTACT ETCHING USING A HARDMASK AND ADVANCED RESIST TECHNOLOGY
(FR) PROCEDE D'INTEGRATION POUR GRAVURE DE CONTACTS DE MASQUE DUR AU MOYEN D'UNE TECHNIQUE DE RESISTANCE AMELIOREE
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming contact holes, in accordance with the present invention, includes forming a hard mask layer on a dielectric layer, forming an anti-reflection coating of less than or equal to 1000 angstroms in thickness on the hard mask layer, and forming a silicon containing imaging resist layer on the anti-reflection layer. The imaging resist layer is patterned and the anti-reflection coating and the hard mask are etched by employing the imaging resist layer as a mask. The dielectric layer is then etched by employing the hard mask as a mask.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de trous de contact consistant à former une couche de masque dur sur une couche diélectrique, un revêtement anti-réfléchissant d'une épaisseur inférieure ou égale à 100 angströms sur la couche du masque dur, et une couche de résistance à la formation d'images contenant du silicium sur la couche anti-réfléchissante. La couche de résistance à la formation d'images est conçue, et puis, le revêtement anti-réfléchissant et le masque dur sont gravés au moyen de la couche de résistance à la formation d'images en tant que masque. La couche diélectrique est ensuite gravée au moyen du masque dur en tant que masque.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)