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1. (WO2002023599) CHAMBRE ET PROCEDE SERVANT A TRAITER DANS DEUX DIRECTIONS DES SUBSTRATS DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023599    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/042179
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 11.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.04.2002    
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : RILEY, Norma, B.; (US).
ANDERSON, Roger, N.; (US).
IMPER, Grant, D.; (US).
COMITA, Paul; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th Floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/660,001 12.09.2000 US
Titre (EN) BI-DIRECTIONAL PROCESSING CHAMBER AND METHOD FOR BI-DIRECTIONAL PROCESSING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) CHAMBRE ET PROCEDE SERVANT A TRAITER DANS DEUX DIRECTIONS DES SUBSTRATS DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor substrate processing chamber (200) provides a bi-directional process gas flow for deposition or etching processes. The bi-directional gas flow provides uniformity of deposition layer thickness or uniformity of etching without the need to rotate the substrate. Junctions (230, 240) provided at opposite ends of a processing chamber. Inlet (250, 270) and outlet (280, 260) ports are provided on each junction. Inlet and outlet ports on opposite junctions cooperate to provide a gas flow in a first direction for half of the process cycle, and in a second direction for the other half of the process cycle.
(FR)Dans une chambre de traitement (200) de substrats de semi-conducteurs, un gaz de traitement s'écoule dans deux directions afin d'exécuter les opérations de dépôt ou de gravure. Cet écoulement de gaz dans deux directions permet d'obtenir une uniformité de l'épaisseur de la couche déposée ou de la gravure sans qu'il soit nécessaire de tourner le substrat. Des jonctions (230, 240) sont situées aux extrémités opposées de la chambre de traitement et présentent chacune des points d'entrée (250, 270) et de sortie (280, 260). Les points d'entrée et de sortie des jonctions opposées coopèrent, de manière à produire un écoulement gazeux dans une première direction pour la moitié du cycle de traitement, et dans une deuxième direction pour l'autre moitié de ce cycle de traitement.
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)