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1. (WO2002023595) PROCEDE POUR FORMER UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR FORME PAR CE PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023595    N° de la demande internationale :    PCT/IB2001/001965
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 12.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.04.2002    
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/44 (2006.01), H01L 21/46 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01)
Déposants : ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; One Technology Way, Norwood, MA 02062 (US) (Tous Sauf US).
GORMLEY, Colin, Stephen [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
BROWN, Stephen, Alan [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
BLACKSTONE, Scott, Carlton [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GORMLEY, Colin, Stephen; (GB).
BROWN, Stephen, Alan; (GB).
BLACKSTONE, Scott, Carlton; (US)
Mandataire : GORMAN, Francis, Fergus; F.F. Gorman & Co., 15 Clanwilliam Square, Dublin 2 (IE)
Données relatives à la priorité :
09/661,766 14.09.2000 US
Titre (EN) A METHOD FOR FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY THE METHOD
(FR) PROCEDE POUR FORMER UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR FORME PAR CE PROCEDE
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a multi-layer semiconductor device (1) having a lower silicon layer (4), an intermediate silicon layer (5) within which micro-mirrors (10) are formed and an upper spacer layer (6) of silicon for spacing another component from the micro-mirrors (10). First and second etch stop layers (8, 9) of oxide act as insulation between the respective layers (4, 5, 6). In order to minimise damage to the micro-mirrors (10), the formation of the micro-mirrors (10) is left to the end of the forming process. An assembly of the lower layer (4) and the intermediate layer (5) with the first etch stop layer (8) is formed, and the second etch stop layer (9) is then grown and patterned on the intermediate layer (5) for subsequent formation of the micro-mirrors (10). The upper layer (5) is then bonded by an annealing process to the patterned second etch stop layer (9). After the formation of communicating bores (30) in the lower layer (4) and thinning of the first etch stop layer (8) adjacent the micro-mirrors (10) through the communicating bores (30), openings (16) in the upper layer (6) and the micro-mirrors (10) are sequentially formed by reactive ion etching through the upper layer (6). Portions of the first and second etch stop layers (8, 9) adjacent the micro-mirrors (10) are then etched away.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former un dispositif à semi-conducteur multicouche (1) comportant une couche inférieure de silicium (4), une couche intermédiaire de silicium (5), à l'intérieur de laquelle sont formés des micro-miroirs (10), et une couche supérieure d'espacement (6) en silicium destinée à espacer un autre composant par rapport aux micro-miroirs (10). Une première et une seconde couche d'arrêt de gravure (8, 9), composées d'oxyde, font office d'isolant entre les différentes couches (4, 5, 6). Afin de minimiser l'endommagement des micro-miroirs (10), lesdits micro-miroirs (10) sont formés à la fin du processus de formation. Un ensemble composé de la couche inférieure (4), de la première couche d'arrêt de gravure (8) et de la couche intermédiaire (5) est formé, puis la seconde couche d'arrêt de gravure (9) est déposée et structurée sur la couche intermédiaire (5) préalablement à la formation des micro-miroirs (10). La couche supérieure (5) est ensuite liée par un traitement de recuit à la seconde couche d'arrêt de gravure (9) structurée. Après formation d'alésages de communication (30) dans la couche inférieure (4) et amincissement de la première couche d'arrêt de gravure (8) adjacente aux micro-miroirs (10) à travers les alésages de communication (30), des ouvertures (16) sont formées de façon séquentielle dans la couche supérieure (6) et dans les micro-miroirs (10) par gravure ionique réactive à travers la couche supérieure (6). Des parties de la première et de la seconde couche d'arrêt de gravure (8, 9) adjacentes aux micro-miroirs (10) sont ensuite éliminées par gravure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)