WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002023584) RECUPERATION ET RETENTION D'UNE FORME D'ONDE DE BALAYAGE OPTIMISEE POUR IMPLANTEUR IONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023584    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/028824
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 14.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.03.2002    
CIB :
H01J 37/147 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Inventeurs : CUCCHETTI, Antonella; (US).
OLSON, Joseph; (US).
GIBILARO, Gregory; (US).
MOLLICA, Rosario; (US)
Mandataire : MCCLELLAN, William, R.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210 (US)
Données relatives à la priorité :
60/232,704 15.09.2000 US
09/950,939 12.09.2001 US
Titre (EN) ION IMPLANTER OPTIMIZED SCAN WAVEFORM RETENTION AND RECOVERY
(FR) RECUPERATION ET RETENTION D'UNE FORME D'ONDE DE BALAYAGE OPTIMISEE POUR IMPLANTEUR IONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Methods and apparatus are provided for controlling dose uniformity in an ion implantation system. According to one embodiment of the invention, an initial scan waveform is adjusted to obtain a desired uniformity for use in a first implant process, and the adjusted scan waveform is stored. The stored scan waveform is recalled and used in a second implant process. According to a another embodiment of the invention, desired beam parameters are identified and, based on the desired beam parameters, a stored scan waveform is recalled for use in a uniformity adjustment process, and the uniformity adjustment process is performed. According to a further embodiment of the invention, an apparatus is provided that includes a beam profiler for measuring a current distribution of a scanned ion beam. The apparatus also includes a data acquisition and analysis unit for adjusting an initial scan waveform based on a desired current distribution and the measured current distribution for use in a first implant process, storing the adjusted scan waveform, recalling the stored scan waveform, and using the recalled scan waveform in a second implant process.
(FR)L'invention concerne des procédés et un dispositif permettant de réguler l'uniformité des doses dans un système d'implantation d'ions. Selon un mode de réalisation décrit dans cette invention, une forme d'onde de balayage de départ est ajustée de manière à obtenir une uniformité désirée utilisable pour un premier processus d'implantation; ensuite, ladite forme d'onde est stockée. La forme d'onde de balayage stockée est ensuite rappelée pour être utilisée dans un second processus d'implantation. Dans un autre mode de réalisation, des paramètres faisceau désirés sont identifiés puis, en fonction de ces paramètres, une forme d'onde de balayage est rappelée afin d'être utilisée dans un processus d'ajustage d'uniformité, puis ledit processus est exécuté. Un autre mode de réalisation décrit dans cette invention concerne un dispositif comprenant un profileur de faisceau permettant de mesurer la répartition du courant d'un faisceau d'ions balayé. Le dispositif comprend également une unité de collecte et d'analyse des données permettant d'ajuster une forme d'onde de balayage de départ en fonction d'une répartition du courant désirée et de la répartition du courant mesurée de manière à pouvoir l'utiliser dans un premier processus d'implantation, de stocker la forme d'onde de balayage ajustée, de rappeler la forme d'onde de balayage stockée, et d'utiliser ladite forme d'onde rappelée dans un second processus d'implantation.
États désignés : IL, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)