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1. (WO2002023583) SYSTEME ET PROCEDE DE SURVEILLANCE DE PROCESSUS POUR SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023583    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/028272
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 10.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.03.2002    
CIB :
H01J 37/304 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01), H01L 23/58 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US)
Inventeurs : RADOVANOV, Svetlana, B.; (US).
MACINTOSH, Edward; (US).
AYERS, Gary; (US).
COREY, Philip; (US)
Mandataire : MCCLELLAN, William, R.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C., 600 Atlantic Avenue, Boston, MA 02210 (US)
Données relatives à la priorité :
09/662,471 15.09.2000 US
Titre (EN) MONITOR SYSTEM AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR PROCESSES
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DE SURVEILLANCE DE PROCESSUS POUR SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A monitor system and method for characterizing semiconductor processes including ion implantation processes is provided. The system includes a test wafer which has a plurality of sensors formed on its surface. The test wafer may be loaded into the process chamber of a process system and exposed, for example, to an implant. During implantation, electrical signals may be transmitted from the sensor to circuitry external of the chamber to evaluate a variety of ion beam and/or wafer properties. The property data may be displayed in real-time with the implant process so that processing parameters may be adjusted accordingly. The monitor system may be used, in particular, to determine properties related to beam and wafer surface charging which can provide an assessment of the efficiency of beam charge neutralization processes.
(FR)Cette invention concerne un système et un procédé de surveillance permettant de caractériser des processus pour semi-conducteurs, dont des processus d'implantation ionique. Ce système repose sur l'emploi d'une tranche d'essai dont la surface comporte une pluralité de capteurs. La tranche d'essai peut être chargée dans la chambre de traitement d'un système de traitement et exposée, par exemple, à un implant. Pendant l'implantation, des signaux électriques peuvent être transmis du capteur à un circuit extérieur à la chambre dans le but d'évaluer diverses propriétés en rapport avec un faisceau ionique ou une tranche. Les données relatives à ces propriétés peuvent être affichées en temps réel, ce qui permet d'ajuster les paramètres de traitement en conséquence. Le système de surveillance peut être utilisé, en particulier, pour déterminer des propriétés en rapport avec la charge de faisceau et de surface de tranche, ce qui permet d'apprécier l'efficacité des processus de neutralisation de la charge du faisceau.
États désignés : IL, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)