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1. (WO2002022919) FORMATION D'UN FILM SEMI-CONDUCTEUR CRISTALLIN UNIQUE SUR UNE SURFACE NON CRISTALLINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/022919    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/029382
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 18.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.04.2002    
CIB :
C30B 1/00 (2006.01), C30B 7/00 (2006.01), C30B 13/00 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD COMPANY [US/US]; Legal Department M/S 20BN 3000 Hanover Street Palo Alto, CA 94304-1112 (US)
Inventeurs : KAMINS, Theodore; (US)
Mandataire : SCHUYLER, Marc P.; Hewlett-Packard Company Intellectual Property P.O. Box 272400 M/S 35 Fort Collins, CO 80527-2400 (US)
Données relatives à la priorité :
09/664,916 18.09.2000 US
Titre (EN) FORMING A SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR FILM ON A NON-CRYSTALLINE SURFACE
(FR) FORMATION D'UN FILM SEMI-CONDUCTEUR CRISTALLIN UNIQUE SUR UNE SURFACE NON CRISTALLINE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a single crystal semiconductor film on a non-crystalline surface is described. In accordance with this method, a template layer incorporating an ordered array of nucleation sites is deposited on the non-crystalline surface, and the single crystal semiconductor film is formed on the non-crystalline surface from the ordered array of nucleation sites. An integrated circuit incorporating one or more single crystal semiconductor layers formed by this method also is described.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation d'un film semi-conducteur cristallin unique sur une surface non cristalline. Selon ce procédé, une couche gabarit comprenant une matrice ordonnée de sites de nucléation est déposée sur la surface non cristalline, et le film semi-conducteur cristallin unique est formé sur la surface non cristalline à partir de la matrice ordonnée de sites de nucléation. L'invention porte également sur un circuit intégré comprenant une ou plusieurs couches de semi-conducteurs cristallins uniques formées selon ce procédé.
États désignés : JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)