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1. (WO2002022710) PROCEDE DE PREPARATION D'UN POLYMERE DE SILICATE ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/022710    N° de la demande internationale :    PCT/KR2001/001563
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 18.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.02.2002    
CIB :
C08G 77/06 (2006.01), C08G 77/50 (2006.01), C09D 183/04 (2006.01)
Déposants : LG CHEM, LTD. [KR/KR]; LG Twin Tower Yoido-dong 20, Youngdungpo-ku 150-721 Seoul (KR) (Tous Sauf US).
KO, Min-Jin [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
MOON, Myung-Sun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SHIN, Dong-Seok [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KANG, Jung-Won [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
NAM, Hye-Yeong [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : KO, Min-Jin; (KR).
MOON, Myung-Sun; (KR).
SHIN, Dong-Seok; (KR).
KANG, Jung-Won; (KR).
NAM, Hye-Yeong; (KR)
Mandataire : YOU ME PATENT & LAW FIRM; Teheran Bldg. 825-33, Yoksam-dong, Kangnam-ku 135-080 Seoul (KR)
Données relatives à la priorité :
2000/54591 18.09.2000 KR
Titre (EN) A PROCESS FOR PREPARING ORGANIC SILICATE POLYMER
(FR) PROCEDE DE PREPARATION D'UN POLYMERE DE SILICATE ORGANIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a low dielectric material essential for a next generation electric device such as a semiconductor device, with a high density and high performance. In detail, the present invention provides: a process for preparing an organic silicate polymer comprising a polymerization step in the absence of homogenizing organic solvents, of mixing and reacting organic silane compounds with water in the presence of a catalyst to hydrolyze and condense the silane compounds, that is thermally stable and has good mechanical and crack resistance properties; and a coating composition for forming a low dielectric insulating film; and a process for preparing a low dielectric insulating film using the organic silicate polymer prepared according to the process, and an electric device comprising the low dielectric insulating film prepared according to the process.
(FR)L'invention concerne un matériau faiblement diélectrique essentiel à l'élaboration d'un dispositif électrique de la prochaine génération tel qu'un dispositif à semi-conducteur, ce matériau présentant une densité et un rendement élevés. D'une manière plus spécifique, l'invention concerne: un procédé de préparation d'un polymère de silicate organique qui est stable du point de vue thermique et qui présente de bonnes propriétés mécaniques et de résistance à la fissuration, ce procédé consistant en une étape de polymérisation en l'absence de solvants organiques d'homogénéisation, laquelle étape consiste à mélanger et à faire réagir des composés de silane organique avec de l'eau en présence d'un catalyseur afin d'hydrolyser et de condenser les composés de silane ; une composition de revêtement destinée à former un film isolant faiblement diélectrique; enfin un procédé permettant de préparer un film isolant faiblement diélectrique au moyen du polymère de silicate organique préparé selon ledit procédé ainsi qu'un dispositif électrique comprenant ledit film isolant faiblement diélectrique.
États désignés : CN, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)