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1. (WO2002021648) PHOTOÉMETTEUR DE GUIDE D'ONDES À HÉTÉROSTRUCTURE II-VI DOPÉ PAR UN MÉTAL DE TRANSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/021648    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/028076
Date de publication : 14.03.2002 Date de dépôt international : 06.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.04.2002    
CIB :
H01S 3/0941 (2006.01), H01S 3/16 (2006.01), H01S 5/327 (2006.01)
Déposants : WEST VIRGINIA UNIVERSITY [US/US]; P.O. Box 6216, Morgantown, WV 26506-6216 (US) (Tous Sauf US).
MEEHAN, Kathleen [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MEEHAN, Kathleen; (US)
Mandataire : DORTENZO, Megan D.; Steptoe & Johnson PLLC, P.O. Box 2190, Clarksburg, WV 26302-2190 (US)
Données relatives à la priorité :
60/230,359 06.09.2000 US
Titre (EN) TRANSITION METAL-DOPED II-VI HETEROSTRUCTURE WAVEGUIDE LIGHT EMITTER
(FR) PHOTOÉMETTEUR DE GUIDE D'ONDES À HÉTÉROSTRUCTURE II-VI DOPÉ PAR UN MÉTAL DE TRANSITION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor laser source including a waveguide structure (100) having an active layer (106) and at least one cladding layer (104, 108), wherein the active layer (106) has a host and a transition metal ion dopant that participates in lasing transitions thereby producing stimulated emission radiation. The at least one cladding layer (104, 108) has a lower index of refraction than the active layer (106) thereby guiding the resulting stimulation emission radiation in the active layer (106).
(FR)La présente invention concerne une source laser à semi-conducteur comprenant une structure de guide d'ondes (100) comportant une couche active (106) et au moins une couche d'habillage (104, 108). En l'occurrence, la couche active comporte un hôte et un dopant à base d'ions de métaux de transitions, qui participe aux transitions lasers, participant par là-même à la production d'un rayonnement d'émission stimulé. La couche d'habillage considéré (104, 108) se distingue par un indice de réfraction inférieur à celui de la couche active (106) ce qui permet de guider dans la couche active (106) le rayonnement d'émission de stimulation résultant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)