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1. (WO2002021604) DISPOSITIF EMETTEUR DE LUMIERE A SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/021604    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/007664
Date de publication : 14.03.2002 Date de dépôt international : 04.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.02.2002    
CIB :
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 545-8522 (JP) (Tous Sauf US).
TSUDA, Yuhzoh [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITO, Shigetoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORISHIGE, Kouichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TSUDA, Yuhzoh; (JP).
ITO, Shigetoshi; (JP).
MORISHIGE, Kouichi; (JP)
Mandataire : FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office Mitsui Sumitomo Bank Minamimorimachi Bldg. 1-29, Minamimorimachi 2-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 530-0054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-273195 08.09.2000 JP
2000-366970 01.12.2000 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND OPTICAL DEVICE INCLUDING THE SAME
(FR) DISPOSITIF EMETTEUR DE LUMIERE A SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE
Abrégé : front page image
(EN)A nitride semiconductor light-emitting device includes a light-emitting layer (103) formed on a substrate (100). The light-emitting layer is characterized by comprising a quantum well layer containing Al and made of GaN¿1-x-y-z?As¿x?P¿y?Sb¿z? (0 < x + y + z $m(f) 0.3).
(FR)L'invention concerne un dispositif émetteur de lumière à semi-conducteurs au nitrure, comprenant une couche émettrice de lumière (103) formée sur un substrat (100). Ladite couche émettrice de lumière est caractérisée en ce qu'elle comprend une couche à puits quantique contenant Al et en ce qu'elle est constituée de GaN¿1-x-y-z?As¿x?P¿y?Sb¿z? (0 < x + y + z $m(F) 0.3).
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)