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1. (WO2002021599) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE COMPOSEE MULTICOUCHE ET TRANSISTOR BIPOLAIRE L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/021599    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/007536
Date de publication : 14.03.2002 Date de dépôt international : 31.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.02.2002    
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), H01L 29/15 (2006.01), H01L 29/207 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8518 (JP) (Tous Sauf US).
OKANO, Taichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UDAGAWA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKANO, Taichi; (JP).
UDAGAWA, Takashi; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; OR Bldg. 23-3, Takadanobaba 3-chome Shinjuku-ku, Tokyo 169-8925 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-272840 08.09.2000 JP
60/237,730 05.10.2000 US
2000-362534 29.11.2000 JP
60/254,897 13.12.2000 US
Titre (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR MULTILAYER STRUCTURE AND BIPOLAR TRANSISTOR USING THE SAME
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE COMPOSEE MULTICOUCHE ET TRANSISTOR BIPOLAIRE L'UTILISANT
Abrégé : front page image
(EN)A compound semiconductor multilayer structure comprising a carbon-containing p-type gallium arsenide (GaAs)-system crystal layer, wherein the carbon-containing p-type GaAs-system crystal layer exhibits a predominant photoluminescence peak measured at 20K within a range of 828 nm to 845 nm, and wherein the ratio of hydrogen atom concentration to carbon atom concentration in the carbon-containing p-type GaAs crystal layer is 1/5 or less. Furthermore, in a photoluminescence measurement at 10K, the carbon-containing GaAs-system p-type crystal layer exhibits a first predominant photoluminescence peak and a second predominant photoluminescence peak due to band gap transitions of GaAs and wherein the second predominant luminescence wavelength has a longer wavelength than the first predominant photoluminescence wavelength and the intensity ratio of the second luminescence peak to the first luminescence peak is within a range from 0.5 to 3.
(FR)L'invention porte sur une structure semi-conductrice composée multicouche comportant une couche carbonée d'un système de type p de cristaux de GaAs, présentant un pic prédominant de luminescence mesuré à 20K dans la plage de 828 nm à 845 nm, et dans laquelle le rapport des concentration en atomes de H par rapport aux atomes de C est de 1/5 ou moins. De plus dans une mesure à 10K, ladite couche présente un premier pic prédominant de luminescence et un deuxième pic prédominant de luminescence dus à la transition de largeur de bande interdite du GaAs, la longueur d'onde du deuxième pic étant plus élevée que celle du premier, et le rapport des intensités du deuxième pic par rapport au premier allant de 0,5 à 3.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)