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1. (WO2002021596) PUCE A SEMI-CONDUCTEUR POURVUE D'UNE COUCHE DE PROTECTION ET SON PROCEDE DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2002/021596    International Application No.:    PCT/DE2001/003308
Publication Date: 14 mars 2002 International Filing Date: 30 août 2001
IPC: H01L 23/31
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG
MARBACH, Ida
PÜSCHNER, Frank
STAMPKA, Peter
Inventors: MARBACH, Ida
PÜSCHNER, Frank
STAMPKA, Peter
Title: PUCE A SEMI-CONDUCTEUR POURVUE D'UNE COUCHE DE PROTECTION ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne une puce à semi-conducteur, dont une face supérieure est recouverte d'une couche de protection (6, 8) en matériau résistant au frottement et/ou à la gravure. Ce matériau peut, par exemple, contenir des grains résistants au frottement. Dans un mode de réalisation préféré, le corps du semi-conducteur (1) est réduit à une épaisseur inférieure à 50 νm, si bien que la puce se rompt inévitablement lorsqu'on essaie de frotter la couche de protection, qui est dure. La tranche de silicium est précoupée en partant de la face frontale, de façon à pouvoir isoler plus facilement les puces, puis cette face frontale est recouverte de la couche de protection (6), et l'épaisseur de la tranche est alors diminuée à partir de la face arrière.