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1. (WO2002021578) ELEMENT LASER SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/021578    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/007724
Date de publication : 14.03.2002 Date de dépôt international : 06.09.2001
CIB :
H01L 25/00 (2006.01), H01L 31/109 (2006.01), H01S 3/091 (2006.01), H01S 5/00 (2006.01), H01S 5/16 (2006.01)
Déposants : MITSUI CHEMICALS INC. [JP/JP]; 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-6070 (JP) (Tous Sauf US).
KOISO, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJIMOTO, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOISO, Takeshi; (JP).
FUJIMOTO, Tsuyoshi; (JP)
Mandataire : SAIKYO, Keiichiro; Shikishima Building, 2-6, Bingomachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 541-0051 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-274013 08.09.2000 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
(FR) ELEMENT LASER SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor laser element comprising a first current block layer for defining a stripe-like current feeding area extending in a direction of connecting a laser beam-emitting front end face with an opposite rear end face, and a second current block layer formed to cross the stripe-like current feeding area in the vicinity of the front end face, the first and second current block layers being constituted by the same layer. Accordingly, a current block structure which is easy to produce, does not damage a semiconductor laser element, and minimizes a characteristic deterioration is provided near an end face, whereby implementing a high end-face optical damage/destruction level and a high reliability after an extended, continuous operation.
(FR)La présente invention concerne un élément laser semi-conducteur comprenant une première couche de blocage de courant servant à définir une zone d'alimentation en courant de type ruban s'étendant dans une direction permettant de connecter une face d'extrémité frontale d'émission de faisceau laser avec une face d'extrémité arrière opposée, et une deuxième couche de blocage de courant formée pour traverser la zone d'alimentation en courant de type ruban au voisinage de la face d'extrémité frontale, les première et deuxième couches de blocage de courant étant constituées par la même couche. En conséquence, une structure de blocage de courant qui est facile à réaliser, n'endommage pas un élément laser semi-conducteur, et permet de minimiser une détérioration de caractéristique, se trouve à proximité d'une face d'extrémité, ce qui permet la mise en place d'un niveau élevé de dommages/destruction optique d'extrémité et une fiabilité élevée après un fonctionnement continu de longue durée.
États désignés : CN, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)