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1. (WO2002021566) SYSTEME D'APPORT DE GAZ EN VRAC POUR IMPLANTEURS IONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/021566    N° de la demande internationale :    PCT/GB2001/003755
Date de publication : 14.03.2002 Date de dépôt international : 21.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.04.2002    
CIB :
H01J 37/08 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 55 Cherry Hill Drive Beverly, MA 01915 (US).
EATON LIMITED [GB/GB]; P.O. Box 22 Norfolk Street Worsley Road North Worsley Manchester M28 3ET (GB)
Inventeurs : RZESZUT, Richard, John; (US).
QUILL, James, Patrick; (US)
Mandataire : R.G.C. JENKINS & CO.; 26 Caxton Street London SW1H ORJ (GB)
Données relatives à la priorité :
09/654,958 05.09.2000 US
Titre (EN) BULK GAS DELIVERY SYSTEM FOR ION IMPLANTERS
(FR) SYSTEME D'APPORT DE GAZ EN VRAC POUR IMPLANTEURS IONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A gas delivery system (100) for an ion implantation system comprises a gas source at a first voltage potential and an ion source at a second voltage potential which is larger than the first voltage potential. The system (100) further comprises an electrically insulative connector (108) coupled between the gas source and the ion source. The present invention also comprises a method (200) of delivering gas to an ion implantation system which comprises maintaining (202) a voltage potential of a source gas at a storage location at a first voltage potential that is less than a second voltage potential at an ion source of the ion implantation system and delivering (204) the source gas from the storage location to the ion source.
(FR)L'invention concerne un système (100) d'apport de gaz pour système d'implantation ionique comprenant une source de gaz maintenue à une première tension et une source d'ions à une deuxième tension, supérieure à la première tension. Le système (100) comporte de plus un connecteur (108) électriquement isolant, couplé entre la source de gaz et la source d'ions. L'invention concerne aussi un procédé (200) d'apport de gaz à un système d'implantation ionique, qui comprend les étapes consistant à maintenir (202) une tension de gaz source dans un lieu de stockage à un premier niveau, inférieur à celui de la deuxième tension d'une source d'ions du système d'implantation ionique ; et à amener (204) le gaz source du lieu de stockage vers la source d'ions.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)