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1. (WO2002021547) PROCEDE DE VIEILLISSEMENT D'UN CONDENSATEUR A ELECTROLYTE SOLIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/021547    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/027722
Date de publication : 14.03.2002 Date de dépôt international : 07.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.04.2002    
CIB :
C25D 11/26 (2006.01)
Déposants : KEMET ELECTRONICS CORPORATION [US/US]; P.O. Box 5928, Highway 385 S.E., Greenville, SC 29606 (US) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NL, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW only).
LESSNER, Philip, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
HAHN, Randolph, Stephen [US/US]; (US) (US Seulement).
MELODY, Brian, John [US/US]; (US) (US Seulement).
REED, Erik, Karlsen [US/US]; (US) (US Seulement).
KINARD, John, Tony [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LESSNER, Philip, Michael; (US).
HAHN, Randolph, Stephen; (US).
MELODY, Brian, John; (US).
REED, Erik, Karlsen; (US).
KINARD, John, Tony; (US)
Mandataire : WOLFFE, Susan, A.; Banner & Witcoff, Ltd., 1001 G Street, N.W., Eleventh Floor, Washington, DC 20001-4597 (US)
Données relatives à la priorité :
09/656,826 07.09.2000 US
Titre (EN) AGING PROCESS FOR SOLID ELECTRODE CAPACITOR
(FR) PROCEDE DE VIEILLISSEMENT D'UN CONDENSATEUR A ELECTROLYTE SOLIDE
Abrégé : front page image
(EN)A process for isolating flaw sites in the dielectric of solid electrolytic capacitor comprising immersing a conductive polymer impregnated capacitor in an electrolyte solution, and then alternately subjecting the conductive polymer impregnated capacitor to a high voltage and a low voltage; wherein the high voltage is between about 10 volts and 50 volts, and the low voltage is between about 0 volts and the voltage corresponding to 90 % of the anodization voltage for pellets anodized at less than 20 volts, or the voltage at which the current drops to 50 % of the peak voltage current for pellets anodized at voltages greater than or equal to 20 volts. The period of time at or above the anodization voltage is relatively short to prevent damaging the dielectric film.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à isoler des sites défectueux dans le diélectrique d'un condensateur à électrolyte solide, qui consiste à immerger un condensateur imprégné d'un polymère conducteur dans une solution d'électrolyte, puis à soumettre ledit condensateur à une haute tension, puis à une basse tension, de façon alternée. La haute tension se situe entre environ 10 et 50 volts, et la basse tension se situe entre 0 volts et la tension correspondante à 90 % de la tension d'anodisation pour des granules anodisées à moins de 20 volts, ou la tension à laquelle le courant chute de moitié par rapport au courant de tension de crête pour des granules anodisées à une tension d'au moins 20 volts.La durée correspondante à au moins la tension d'anodisation est relativement courte, ce qui empêche une détérioration de la pellicule diélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)