WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002021218) MASQUES DE DEPHASAGE ET PROCEDES DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/021218    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/025785
Date de publication : 14.03.2002 Date de dépôt international : 17.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.03.2002    
CIB :
G03F 1/32 (2012.01), G03F 1/68 (2012.01), G03F 1/00 (2012.01), G03F 1/30 (2012.01), G03F 1/36 (2012.01)
Déposants : GRAY SCALE TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 6048 Cornerstone Court West Suite E1 San Diego, CA 92121 (US)
Inventeurs : JIN, Michael, S.; (US).
LEE, Sing, H.; (US).
REYNOLDS, James, A.; (US)
Mandataire : TOBIN, Kent, J.; Townsend and Townsend and Crew LLP 2 Embarcadero Center 8th Floor San Francisco, CA 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
60/231,162 07.09.2000 US
09/804,590 12.03.2001 US
Titre (EN) PHASE-SHIFT MASKS AND METHODS OF FABRICATION
(FR) MASQUES DE DEPHASAGE ET PROCEDES DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Multilayer film stacks and gray scale processing methods are employed for fabricating phase-shifting masks (PSMs) utilized in lithography. Desired optical transmission and phase-shifting functions of the mask are achieved by controlling the optical properties and thickness of constituent film layers. The mask can be tuned for optimal performance at various wavelengths to an extent beyond that obtainable using a single layer film to control both attenuation and phase shifting of incident light. The processing methods exploit multi-level electron beam or optical beam lithography techniques, and the etch selectivity afforded by selection of appropriate materials for the film stack, to obtain improved yields and reduced processing costs for fabrication of PSMs. In particular, diamond-like carbon (DLC) materials formed by ion beam deposition and having a stress of 1 GPa or less are utilized as etch stop layers (see Figure 6).
(FR)L'invention concerne des procédés de traitement en niveaux de gris et de piles de films multicouches utilisés pour fabriquer les masques de déphasage utilisés en lithographie. Les fonctions de déphasage et de transmission optiques requises du masques sont obtenues en contrôlant les propriétés optiques et l'épaisseur des couches de films constituantes. Ce masque peut être accordé pour assurer une performance optimale à diverses longueurs d'ondes dans une mesure supérieure à celle qui peut être obtenue à l'aide d'un couche à un seul film pour contrôler tant l'atténuation que le décalage de phase de la lumière incidente. Ces procédés de traitement utilisent des techniques de lithographie par faisceau optique ou par faisceau électronique à multiples niveaux et la sélectivité de gravure assurée par le choix de matériaux appropriés pour la pile de films pour obtenir des rendements améliorés et des coûts de traitement réduits pour la fabrication de masques de déphasage. En particulier, les matériaux de carbone de type diamant formés par dépôt de faisceaux ioniques et présentant une contrainte inférieure ou égale à 1 Gpa sont utilisés comme couches d'arrêt de la gravure. (voir figure 6).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)