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1. (WO2002021217) EBAUCHES DE PHOTOMASQUE EN VERRE POUR LITHOGRAPHIE, A BASE D'OXYFLUORURE DE SILICIUM VITRIFIE, A DEPOT DIRECT, TRANSMETTANT DES ULTRAVIOLETS EXTREMES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/021217    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/023257
Date de publication : 14.03.2002 Date de dépôt international : 24.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.03.2002    
CIB :
C03B 19/14 (2006.01), C03C 3/06 (2006.01), C03C 4/00 (2006.01), G03F 1/00 (2012.01), G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, NY 14831 (US)
Inventeurs : BROWN, John, T.; (US).
CURRIE, Stephen, C.; (US).
MOORE, Lisa, A.; (US).
PAVLIK, Robert, S., Jr; (US).
SCHIEFELBEIN, Susan, L.; (US)
Mandataire : MURPHY, Edward, F.; Corning Incorporated SP TI 3 1 Corning, NY 14831 (US)
Données relatives à la priorité :
PCT/US00/24776 08.09.2000 US
60/258,132 22.12.2000 US
60/271,135 24.02.2001 US
60/271,136 24.02.2001 US
Titre (EN) VACUUM ULTRAVIOLET TRANSMITTING DIRECT DEPOSIT VITRIFIED SILICON OXYFLUORIDE LITHOGRAPHY GLASS PHOTOMASK BLANKS
(FR) EBAUCHES DE PHOTOMASQUE EN VERRE POUR LITHOGRAPHIE, A BASE D'OXYFLUORURE DE SILICIUM VITRIFIE, A DEPOT DIRECT, TRANSMETTANT DES ULTRAVIOLETS EXTREMES
Abrégé : front page image
(EN)High purity direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass suitable for use as a photomask substrates for photolithography applications in the VUV wavelength region below 190 nm is disclosed. The inventive direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass is transmissive at wavelengths around 157 nm, making it particularly useful as a photomask substrate at the 157 nm wavelength region. The inventive photomask substrate is a dry direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass which exhibits very high transmittance in the vacuum ultraviolet (VUV) wavelength region while maintaining the excellent thermal and physical properties generally associated with high purity fused silica. In addition to containing fluorine and having little or no OH content, the inventive direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass suitable for use as a photomask substrate at 157 nm is also characterized by having less than 1x10?17¿ molecules/cm?3¿ of molecular hydrogen and low chlorine levels.
(FR)L'invention concerne un verre à base d'oxyfluorure de silicium vitrifié à dépôt direct d'une grande pureté qui peut être utilisé en tant que substrat de photomasque pour des applications photolithographiques dans la région de longueur d'onde des ultraviolets extrêmes (VUV) inférieure à 190 nm. Ce verre d'oxyfluorure de silicium vitrifié à dépôt direct est transmissif à des longueurs d'onde de l'ordre de 157 nm, ce qui le rend particulièrement utile en tant que substrat de photomasque dans la région des longueurs d'onde de l'ordre de 157 nm. Ce substrat de photomasque est un verre d'oxyfluorure de silicium vitrifié à dépôt direct sec qui fait preuve d'une transmittance élevée dans la région des longueurs d'onde des ultraviolets extrêmes (VUV), tout en conservant les propriétés physiques et thermiques excellentes généralement associées à la silice fondue de grande pureté. En plus de contenir du fluor et de ne contenir que peu ou pas d'OH, ce verre d'oxyfluorure de silicium vitrifié à dépôt direct qui peut être utilisé en tant que substrat de photomasque à 157 nm est également caractérisé par moins de 1x10?17¿ molécules/cm?3¿ d'hydrogène moléculaire et de faibles taux de chlore.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)