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1. (WO2002021178) PHOTORECEPTEUR A INTEGRATION OPTOELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/021178    N° de la demande internationale :    PCT/DE2001/003437
Date de publication : 14.03.2002 Date de dépôt international : 04.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.04.2002    
CIB :
G02B 6/12 (2006.01), G02B 6/122 (2006.01), G02B 6/30 (2006.01), H01L 31/0232 (2006.01), H01L 31/0304 (2006.01), H01L 31/105 (2006.01)
Déposants : HEINRICH-HERTZ-INSTITUT FÜR NACHRICHTENTECHNIK BERLIN GMBH [DE/DE]; Einsteinufer 37, 10587 Berlin (DE) (Tous Sauf US).
BACH, Heinz-Gunter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHLAAK, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
UMBACH, Andreas [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BACH, Heinz-Gunter; (DE).
SCHLAAK, Wolfgang; (DE).
UMBACH, Andreas; (DE)
Données relatives à la priorité :
100 44 521.7 04.09.2000 DE
Titre (DE) OPTO-ELEKTRONISCH INTEGRIERTER PHOTOEMPFÄNGER
(EN) OPTOELECTRONIC INTEGRATED PHOTODETECTOR
(FR) PHOTORECEPTEUR A INTEGRATION OPTOELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Aufgabe der Erfindung ist es, eine Anordnung für einen opto-elektronisch integrierten Photoempfänger vorzuschlagen, der in bezug auf das High-Power-Verhalten verbesserte Leistungsmerkmale zeigt, ohne die anderen wichtigen Empfängerparameter zu benachteiligen. Weiterhin soll sich die Herstellung der Anordnung in bereits bekannte technologische OEIC-Prozesse einpassen. Die Aufgabe wird erfindungsgemäss durch einen Photoempfänger gelöst, bei dem eine wellenleiter-integrierte Photodiode (PD), ein dieser Photodiode (PD) zu einer Standard-Faser vorgeschalteter Spotsize-Konverter (SK) und ein elektrischer Wanderwellenverstärker (TWA) auf einem Chip monolithisch integriert sind, wobei der Spotsize-Konverter photodiodenseitig aus einem kurzen geraden Teil des Photodioden-Wellenleiters (WL) und faserseitig aus einem in Richtung Faser sich verjüngenden Teil (GR) des Photodioden-Wellenleiters (WL) und aus einem sich auf das gesamte Integrationsgebiet erstreckenden unter dem Photodioden-Wellenleiter (WL) angeordneten semi-isolierenden optisch wellenleitungsfähigen Schichtenpaket gebildet ist und zusätzliche Ätzstoppschichten (ÄS) auf dem Photodioden-Wellenleiter (WL) und auf der Photodiode (PD) angeordnet sind.
(EN)The aim of the invention is to provide a system for an optoelectronic integrated photodetector that has improved performance characteristics with respect to high-power behavior without affecting the other essential detector parameters. Another aim is to adapt the production of the system in an already known technological OEIC processes. To this end, a waveguide-integrated photodiode (PD), a spot-size converter (SK) connected upstream to said photodiode (PD) to a standard fiber and an electric travelling wave amplifier (TWA) are monolithically integrated on a chip. Said spot-size converter, at the photodiode end, is configured by a short straight part of the photodiode waveguide (WL), and, at the fiber end, by a part (GR) of the photodiode waveguide (WL) that tapers towards the fiber and by a semi-insulating optical wave-conductive laminar package that extends across the entire area of integration and that is disposed below the photodiode waveguide (WL). Additional stop etch layers (AS) are disposed on the photodiode waveguide (WL) and on the photodiode (PD).
(FR)L'objectif de l'invention est de créer une configuration destinée à un photorécepteur à intégration optoélectronique dont les caractéristiques de puissance, notamment le comportement à puissance élevée, sont améliorées, sans que les autres paramètres de réception importants en soient pour autant affectés. L'objectif de l'invention est également d'adapter la création de cette configuration à des processus technologiques connus de production de circuits optoélectroniques intégrés OEIC. A cet effet, on fait appel à un photorécepteur dans lequel une photodiode (PD) intégrée dans un guide d'ondes, un convertisseur de dimension de spot (SK) raccordé à une fibre standard en amont de cette photodiode, et un amplificateur à ondes progressives (TWA) sont intégrés, par voie monolithique, sur une puce. Le convertisseur de dimension de spot (SK) est formé côté photodiode par une partie courte et rectiligne du guide d'ondes à photodiode (WL) et, côté fibre, par une partie de ce guide d'ondes, se rétrécissant en direction de la fibre, et par un ensemble stratifié semi-isolant, conducteur d'ondes optiques, placé sous le guide d'ondes à photodiode (WL) et s'étendant sur la totalité de la zone d'intégration. Des couches d'arrêt d'attaque supplémentaires (AS) sont placées sur le guide d'ondes (WL) ainsi que sur la photodiode (PD).
États désignés : CA, IL, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)