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1. (WO2002020880) PRODUCTION DE FILMS EPITAXIAUX A FAIBLE TAUX DE DETECTUOSITES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/020880    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/027390
Date de publication : 14.03.2002 Date de dépôt international : 04.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.04.2002    
CIB :
C30B 23/02 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01)
Déposants : CBL TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 1095 Eden Bower Lane Redwood City, CA 94061 (US).
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006 Oaza Kadoma Kadoma-Shi Osaka, Osaka 571-8501 (JP)
Inventeurs : SOLOMON, Glenn; (US).
MILLER, David; (US).
UEDA, Tetsuzo; (JP)
Mandataire : ISENBERG, Joshua; 204 Castro Lane Fremont, CA 94539 (US)
Données relatives à la priorité :
09/656,305 06.09.2000 US
Titre (EN) PRODUCTION OF LOW DEFECT EPITAXIAL FILMS
(FR) PRODUCTION DE FILMS EPITAXIAUX A FAIBLE TAUX DE DETECTUOSITES
Abrégé : front page image
(EN)A method for the production of a crack-free epitiaxial film having a thickness greater than that which can be achieved by continuous epitaxial crystal growth. This epitaxial film can be used as is in a device, used as a substrate platform for further epitaxy, or separated from the initial substrate material (401) and used as a free-standing substrate platform (407). The method utilizes a defect-rich initial layer (403) that absorbs epitaxially derived stresses and another layer, which is not defect-rich (405), which planarizes the crystal growth front, if necessary and provides high quality epitaxial region near the surface.
(FR)procédé de fabrication d'un film épitaxial sans fissures dont l'épaisseur est supérieure à celle pouvant être obtenue par croissance épitaxiale continue. Ce film épitaxial peut s'utiliser, par exemple dans un dispositif, comme substrat pour épitaxie supplémentaire ou, séparément du matériau de substrat initial (401), comme substrat autonome (407). Ce procédé repose sur l'emploi d'une couche initiale (403) à taux de défectuosité élevé (403), qui absorbe des contraintes d'origine épitaxiale, et d'une autre couche à faible taux de défectuosité (405), qui planarise au besoin l'avant de la croissance épitaxiale et qui permet d'obtenir une région épitaxiale de grande qualité près de la surface.
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)