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1. (WO2002019514) OSCILLATEUR A COMPENSATION DE TEMPERATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019514    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/007372
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 28.08.2001
CIB :
H03B 5/04 (2006.01), H03B 5/32 (2006.01), H03B 5/36 (2006.01)
Déposants : CITIZEN WATCH CO., LTD. [JP/JP]; 1-12, Tanashicho 6-chome Nishitokyo-shi Tokyo 188-8511 (JP) (Tous Sauf US).
FUKAYAMA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKURAI, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUKAYAMA, Hiroyuki; (JP).
SAKURAI, Yasuhiro; (JP)
Mandataire : OSAWA, Takashi; Room 818, Ikebukuro White House Bldg. 20-2, Higashi Ikebukuro 1-chome Toshima-ku Tokyo 170-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-262215 31.08.2000 JP
Titre (EN) TEMPERATURE COMPENSATION OSCILLATOR
(FR) OSCILLATEUR A COMPENSATION DE TEMPERATURE
Abrégé : front page image
(EN)A temperature sensing circuit (13) measures the temperature of an oscillation circuit (47). A tertiary term voltage generating circuit of a control voltage generating circuit (23) generates a tertiary term voltage used as a control voltage according to the output voltage of the temperature sensing circuit (13). A frequency adjusting circuit (45) varies the oscillation frequency of the oscillation circuit (47) according to the control voltage. The tertiary term voltage generating circuit has a first MOS transistor (37) the source of which is connected to a first power supply line (25), a second MOS transistor (35) the source of which is connected to a second power supply line (26), and digital control voltage dividing circuits (31, 33) for generating first and second gate voltages according to the output voltage of the temperature sensing circuit (13). The first and second gate voltages are applied to the gates of the first and second MOS transistors (37, 35), respectively. The connection node (44) to which the drains are commonly connected are made the output end of the control voltage.
(FR)La présente invention concerne un circuit de détection de température (13), qui mesure la température d'un circuit d'oscillation (47). Un circuit de production de tension à terme tertiaire faisant partie d'un circuit de production de tension de commande (23) produit une tension à terme tertiaire utilisée en tant que tension de commande, en fonction de la tension de sortie du circuit de détection de température (13). Un circuit de réglage de fréquence (45) fait varier la fréquence d'oscillation du circuit d'oscillation (47) en fonction de la tension de commande. Le circuit de production de tension à terme tertiaire comprend un premier transistor MOS (37), dont la source est connectée à une première conduite d'alimentation (25), un second transistor MOS (35), dont la source est connectée à une seconde conduite d'alimentation (26), ainsi que des circuits diviseurs de tension de commande numériques (31, 33), qui permettent de produire des premières et secondes tensions de grille, en fonction de la tension de sortie du circuit de détection de température (13). Ces premières et secondes tensions de grille sont respectivement appliquées aux grilles du premier et du second transistor MOS (37, 35). Le noeud de connexion (44) auquel les drains sont généralement connectés constitue l'extrémité de sortie de la tension de commande.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)