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1. (WO2002019485) LASER A CASCADES QUANTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019485    N° de la demande internationale :    PCT/CH2001/000522
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 28.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.03.2002    
CIB :
H01S 5/34 (2006.01)
Déposants : ALPES LASERS S.A. [CH/CH]; 2, rue Champréveyres, CH-2000 Neuchâtel (CH) (Tous Sauf US).
FAIST, Jérôme [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
BECK, Mattias [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
MULLER, Antoine [CH/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : FAIST, Jérôme; (CH).
BECK, Mattias; (CH).
MULLER, Antoine; (CH)
Mandataire : GRESSET - LAESSER - NITHARDT; Cabinet de Conseils en Propriété Industrielle, 8A, Puits-Godet, CH-2000 Neuchâtel (CH)
Données relatives à la priorité :
00810783.1 31.08.2000 EP
Titre (EN) QUANTUM CASCADE LASER
(FR) LASER A CASCADES QUANTIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a quantum cascade laser comprising in particular a gain region (14) consisting of several layers (20) each including: alternating strata of a first type (28) defining each an AllnAs quantum barrier and strata of a second type (28) defining each an InGaAs quantum barrier, and injection barriers (22), interposed between two of the layers (20). The layers of the gain region (14) form each an active zone extending from one to the other of the injection barriers (22) adjacent thereto. The strata (26, 28) are dimensioned such that: each of the wells comprises, in the presence of an electric field, at least a first upper subband, a second median subband, and a third lower subband, and the probability of an electron being present in the first subband is highest in the proximity of one of the adjacent injection barriers, in the second subband in the median part of the zone and in the third subband in the proximity of the other adjacent barriers. The laser is formed by a succession of active zones and injection barriers, without interposition of a relaxation zone.
(FR)Laser à cascades quantiques comportant notamment une région de gain (14) formée de plusieurs couches (20) qui comprennent, chacune: une alternance de strates d'un premier type (26) définissant chacune une barrière quantique en AllnAs et de strates d'un second type (28) définissant chacune un puits quantique en InGaAs, et des barrières d'injection (22), intercalée entre deux des couches (20). Les couches de la région de gain (14) constituent, chacune, une zone active s'étendant de l'une à l'autre des barrières d'injection (22) qui lui sont adjacentes. Les strates (26, 28) sont dimensionnées de manière à ce que: chacun des puits comporte, en présence d'un champ électrique, au moins une première sous-bande supérieure, une deuxième sous-bande, médiane, et une troisième sous-bande, l' inférieure, et que la probabilité de présence d'un électron dans la première sous-bande est la plus élevée au voisinage de l'une des barrières d'injection adjacentes, dans la deuxième sous-bande dans la partie médiane de la zone et dans la troisième sous-bande au voisinage de l'autre des barrières adjacentes. Le laser est formé d'une succession de zones actives et de barrières d'injection, sans interposition d'une zone de relaxation.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)