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1. (WO2002019461) LIGNE HAUTE FREQUENCE ET CIRCUIT HAUTE FREQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019461    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/005880
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 30.08.2000
CIB :
H01L 27/08 (2006.01), H01P 3/06 (2006.01), H01P 3/08 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8310 (JP) (Tous Sauf US).
TAJIMA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSURU, Masaomi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UESUGI, Mikio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITOH, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISOTA, Yoji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAJIMA, Kenichi; (JP).
TSURU, Masaomi; (JP).
UESUGI, Mikio; (JP).
ITOH, Kenji; (JP).
ISOTA, Yoji; (JP)
Mandataire : TAZAWA, Hiroaki; Daito Building 7th Floor 7-1, Kasumigaseki 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGH-FREQUENCY LINE AND HIGH-FREQUENCY CIRCUIT
(FR) LIGNE HAUTE FREQUENCE ET CIRCUIT HAUTE FREQUENCE
Abrégé : front page image
(EN)A high-frequency circuit for carrying high-frequency signals in microwave and millimeter bands comprises a semiconductor substrate (21), a grounding conductor (22) provided under the semiconductor substrate (21), an insulator (23) provided on the semiconductor substrate (21) and having higher effective dielectric constant than the semiconductor substrate (21), and a strip conductor (25) provided on a recessed part (24) in the middle area of the insulator (23).
(FR)La présente invention concerne un circuit haute fréquence destiné à véhiculer des signaux haute fréquence dans des bandes de fréquence allant des micro-ondes aux ondes millimétriques, ledit circuit comprenant un substrat semi-conducteur (21), un conducteur de masse (22) disposé en-dessous du substrat semi-conducteur (21), un isolant (23) disposé sur le substrat semi-conducteur (21) et ayant une constante diélectrique efficace plus élevée que celle du substrat semi-conducteur (21), et un conducteur dénudé (25) disposé sur la partie en retrait (24) dans la zone médiane de l'isolant (23).
États désignés : CN, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)