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1. (WO2002019442) CAPTEUR A EFFET HALL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019442    N° de la demande internationale :    PCT/FR2001/002703
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 30.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.03.2002    
CIB :
G01R 33/07 (2006.01)
Déposants : CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS- [FR/FR]; 3, rue Michel-Ange F-75794 Paris Cedex 16 (FR) (Tous Sauf US).
ROBERT, Jean-Louis [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
PERNOT, Julien [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
CAMASSEL, Jean [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
CONTRERAS, Sylvie [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : ROBERT, Jean-Louis; (FR).
PERNOT, Julien; (FR).
CAMASSEL, Jean; (FR).
CONTRERAS, Sylvie; (FR)
Mandataire : BREESE, Pierre; Breese-Majerowicz 3, avenue de l'Opéra F-75001 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
00/11087 30.08.2000 FR
Titre (EN) HALL-EFFECT SENSOR
(FR) CAPTEUR A EFFET HALL
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a Hall-effect sensor consisting of a multilayer structure comprising a thin semiconductor material layer deposited on a semiconductor substrate (12), the two layers being electrically insulated with an insulation. The invention is characterised in that the substrate (12) is a n+-type semiconductor material whereon is deposited an insulating material consisting of a p- type semiconductor layer (13), and the thin active layer (14) is of the n- type doped in exhaustion mode. Preferably, the active layer consists of a silicon carbide or a gallium nitride layer.
(FR)La présente invention concerne un capteur à effet Hall constitué par une structure multicouche comprenant une couche mince d'un matériau semi-conducteur déposée sur un substrat (12) semi-conducteur, les deux couches étant isolées électriquement par un isolant, caractérisé en ce que le substrat (12) est un matériau semi-conducteur de type n+ sur lequel est déposé un matériau d'isolation constitué par une couche semi-conductrice de p-, et en ce que la couche mince active (14) est de type n- dopé en régime d'exhaustion. De préférence, la couche active est constitué par une couche de carbure de silicium ou de nitrure de gallium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)