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1. (WO2002019436) DISPOSITIFS NANO-ELECTRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019436    N° de la demande internationale :    PCT/GB2001/003954
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 03.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.03.2002    
CIB :
H01L 29/76 (2006.01), H01L 29/775 (2006.01), H03K 19/08 (2006.01)
Déposants : BTG INTERNATIONAL LIMITED [GB/GB]; 10 Fleet Place Limeburner Place London EC4M 7SB (GB) (Tous Sauf US).
SAMUELSON, Lars, Ivar [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
XU, Hongqi [CN/SE]; (SE) (US Seulement).
FORCHEL, Alfred [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WORSCHECH, Lukas, Maria, Dietmar [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SAMUELSON, Lars, Ivar; (SE).
XU, Hongqi; (SE).
FORCHEL, Alfred; (DE).
WORSCHECH, Lukas, Maria, Dietmar; (DE)
Mandataire : BUTTRICK, Richard; BTG International Limited 10 Fleet Place Limeburner Lane London EC4M 7SB (GB)
Données relatives à la priorité :
0021506.1 01.09.2000 GB
0029902.4 07.12.2000 GB
0107409.5 23.03.2001 GB
Titre (EN) NANOELECTRONIC DEVICES
(FR) DISPOSITIFS NANO-ELECTRONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)An electronic device of nanometric dimensions which exhibits non-linear transistor or rectifying action comprises a region (40) fabricated to provide ballistic transport properties for electron flow, with conductance paths (42, 44, 46) having quantum point contacts (40q) formed in region (40), each path having an associated reservoir of electrons, or contact (50), with an electrochemical potential, and a linear-response conductance which depends on the energy of electrons injected into the path. An alternating voltage V¿1?, V¿r? is applied across conductance paths (44, 46), and a rectified voltage V¿c? is developed at conductance path (42). Alternatively, a constant voltage may be applied to terminal (44), to modulate the characteristics of electron flow through conductance paths (42, 46), in a transistor-like manner. The device may perform a logic AND or OR function, or be used as a frequency multiplier.
(FR)Cette invention concerne un dispositif électronique aux dimensions naométriques à effet de transistor ou de redresseur non linéaire. Ce dispositif comprend un région (40) présentant des caractéristiques de transport balistique pour un flux d'électrons avec des chemins de conductance (42, 44, 46) présentant des contacts de point quantique (40q) dans la région (40), chaque chemin comportant un réservoir connexe d'électrons, ou contact (50) avec potentiel électrochimique, et une conductance à réponse non linéaire qui dépend de l'énergie des électrons injectés dans le chemin. Une tension alternative V¿1?, V¿r? est appliquée aux bornes des chemins de conductance (44, 46), et une tension redressée V¿c? développée au niveau du chemin de conductance (42). En variante, on peut appliquer une tension constante à la borne (44) afin de moduler les caractéristiques du flux d'électrons sur les chemins de conductance (42, 46), à la manière d'un transistor. Le dispositif selon l'invention peut s'acquitter d'une fonction de logique Et ou OU, ou bien être utilisé comme multiplicateur de fréquence.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)