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1. (WO2002019424) ENSEMBLE ELECTRONIQUE COMPRENANT UNE INTERFACE THERMIQUE SOUDABLE ET PROCEDES DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019424    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/026902
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 29.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.03.2002    
CIB :
H01L 23/42 (2006.01), H01L 23/433 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
WORKMAN, Thomas [US/US]; (US) (US Seulement).
SUR, Biswajt [IN/US]; (US) (US Seulement).
VODRAHALLI, Nagesh [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WORKMAN, Thomas; (US).
SUR, Biswajt; (US).
VODRAHALLI, Nagesh; (US)
Mandataire : VIKSNINS, Ann, S.; Schwegman, Lundberg, Woessner & Kluth, P.A., P.O. Box 2938, Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
09/652,430 31.08.2000 US
Titre (EN) ELECTRONIC ASSEMBLY COMPRISING SOLDERABLE THERMAL INTERFACE AND METHODS OF MANUFACTURE
(FR) ENSEMBLE ELECTRONIQUE COMPRENANT UNE INTERFACE THERMIQUE SOUDABLE ET PROCEDES DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)To accommodate high power densities associated with high performance integrated circuits, heat is dissipated from a surface of a die through a solderable thermal interface to a lid or integrated heat spreader. In one embodiment, the die is mounted on an organic substrate using a C4 and land grid array arrangement. In order to maximize thermal dissipation from the die while minimizing warpage of the package when subjected to heat, due to the difference in thermal coefficients of expansion between the die and the organic substrate, a thermal interface is used that has a relatively low melting point in addition to a relatively high thermal conductivity. Methods of fabrication, as well as application of the package to an electronic assembly, an electronic system, and a data processing system, are also described.
(FR)Pour obtenir de fortes densités de puissance associées à des circuits intégrés hautes performances, la chaleur est dissipée d'une surface de puce par une interface thermique soudable vers un couvercle ou dissipateur thermique. Dans une forme de réalisation, la puce est montée sur un substrat organique à l'aide d'un dispositif de type C4 et boîtier LGA. Afin de maximiser la dissipation thermique de la puce tout en limitant un gauchissement du boîtier lorsque celui-ci est soumis à la chaleur, due à la différence des coefficients thermiques d'expansion entre la puce et le substrat organique, on utilise une interface thermique qui présente un point de fusion relativement bas ainsi qu'une conductivité thermique relativement élevée. L'invention concerne aussi des procédés de fabrication, et l'application du boîtier à un ensemble électronique, à un système électronique et à un système de traitement de données.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)