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1. (WO2002019419) STRUCTURE DE METALLISATION SOUSTRACTIVE ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019419    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/026975
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 30.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.03.2002    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, ID 83707-0006 (US)
Inventeurs : FARRAR, Paul, A.; (US)
Mandataire : D'AMICO, Thomas, J.; Dickstein Shapiro Morin & Oshinsky LLP 2101 L Street NW Washington, DC 20037-1526 (US)
Données relatives à la priorité :
09/653,560 31.08.2000 US
Titre (EN) SUBSTRACTIVE METALLIZATION STRUCTURE AND METHOD OF MAKING
(FR) STRUCTURE DE METALLISATION SOUSTRACTIVE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A substractive metallization structure with a plurality of low dielectric constant insulating layers (55, 65) acting as etch stops is disclosed. The selected low dielectric constant materials have similar methods of formation and similar capacities to wishtand physical and thermal stress. In addition, the etchant used for each low dielectric constant insulating layer has a very small etching rate relative to the other low dielectric constant insulating layers.
(FR)L'invention concerne une structure de métallisation soustractive dotée de plusieurs couches isolantes (55, 65) à constante diélectrique agissant comme des arrêts de gravure. Les matériaux à constante diélectrique faible sélectionnés présentent des procédés de formation et de capacités leur permettant de résister à une tension physique et thermique. De plus, l'agent de gravure utilisé pour chaque couche isolante à constante diélectrique faible possède un très faible taux de gravure par rapport aux autres couches isolantes à constante diélectrique faible.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)