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1. (WO2002019418) PROCEDE PERMETTANT D'OBTENIR UN REMPLISSAGE EN CUIVRE PRESENTANT DES CARACTERISTIQUES D'INTERCONNEXIONS A RAPPORT DE FORME ELEVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019418    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/026597
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 27.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.03.2002    
CIB :
H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 94054 (US)
Inventeurs : CARL, Daniel, A.; (US).
CHIN, Barry; (US).
CHEN, Liang; (US).
CHEUNG, Robin; (US).
DING, Peijun; (US).
DORDI, Yezdi, N.; (US).
HASHIM, Imran; (US).
HEY, Peter, W.; (US).
SINHA, Ashok, K.; (US)
Mandataire : PATTERSON, William, B.; Thomason, Moser & Patterson LLP 3040 Post Oak Boulevard Suite 1500 Houston, TX 77056 (US)
Données relatives à la priorité :
09/650,108 29.08.2000 US
Titre (EN) METHOD FOR ACHIEVING COPPER FILL OF HIGH ASPECT RATIO INTERCONNECT FEATURES
(FR) PROCEDE PERMETTANT D'OBTENIR UN REMPLISSAGE EN CUIVRE PRESENTANT DES CARACTERISTIQUES D'INTERCONNEXIONS A RAPPORT DE FORME ELEVE
Abrégé : front page image
(EN)One aspect of the invention provides a consistent metal electroplating technique to form void-less metal interconnects in sub-micron high aspect ratio features on semiconductor substrates. One embodiment of the invention provides a method for filling sub-micron features (214) on a substrate, comprising reactive precleaning the substrate, depositing a barrier layer (218) on the substrate using high density plasma physical vapor deposition; depositing a seed layer (220) over the barrier layer using high density plasma physical vapor deposition; and electro-chemically depositing a metal (222) using a highly resistive electrolyte and applying a first current density during a first deposition period followed by a second current density during a second period.
(FR)Un mode de réalisation de l'invention concerne une technique consistante de dépôt métallique par électrolyse permettant de former des interconnexions métalliques sans défaut et présentant des caractéristiques submicroniques de rapport de forme élevé sur des substrats semi-conducteurs. Un mode de réalisation l'invention concerne un procédé de remplissage de caractéristiques submicroniques (214) sur un substrat, comprenant les étapes consistant à nettoyer préalablement de manière réactive le substrat, à déposer une couche barrière (218) sur le substrat au moyen d'un dépôt physique en phase vapeur par plasma à densité élevée, à déposer une couche germe (220) sur la couche barrière au moyen d'un dépôt physique en phase vapeur par plasma à densité élevée, à déposer électrochimiquement un métal (222) au moyen d'un électrolyte hautement résistant et à appliquer une première densité de courant pendant une première période de dépôt, suivie d'une seconde densité de courant pendant une seconde période.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)