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1. (WO2002019412) PROCEDE POUR REALISER UN TRANSISTOR A COUCHE MINCE A GRILLE INFERIEURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019412    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/009505
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 17.08.2001
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : YOUNG, Nigel, D.; (NL)
Mandataire : WHITE, Andrew, G.; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
0021030.2 26.08.2000 GB
Titre (EN) A METHOD OF FORMING A BOTTOM-GATE THIN FILM TRANSISTOR
(FR) PROCEDE POUR REALISER UN TRANSISTOR A COUCHE MINCE A GRILLE INFERIEURE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a thin film transistor structure having a bottom-gate metal region (14) separated by an insulating layer (18) from a semiconductor film (20) having a channel region and source/drain regions (22) is disclosed. The method includes a back exposure step in which the gate metal region (14) acts as a mask and as part of the process of the formation of the source/drain regions (22) in the thin film (20) at location to either side of the gate metal region (14), the self-alignment achieved by the back exposure serving to limit the current path between the source/drain region (14) and the channel region (20).
(FR)L'invention concerne un procédé pour réaliser une structure de transistor à couche mince, comprenant une zone métallique de grille inférieure (14) séparée par une couche isolante (18) d'une couche semiconductrice (20) pourvue d'une zone de canal et de zones de source/drain (22). Ce procédé comporte l'opération d'exposition dorsale, selon laquelle la zone métallique de grille (14) agit comme masque et comme partie du procédé de formation des zones de source/drain (22) dans la couche mince (20) sur les deux côtés de ladite zone métallique de grille (14). L'auto-alignement obtenu par l'exposition dorsale sert à limiter la trajectoire du courant entre la zone de source/drain (14) et la zone de canal (20).
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)