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1. (WO2002019411) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM DIELECTRIQUE PREMETALLIQUE SUR UN SUBSTRAT A SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019411    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/022855
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 18.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.03.2002    
CIB :
H01L 21/3105 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, CA 95131 (US)
Inventeurs : KELKAR, Amit, S.; (US).
WHITEMAN, Michael, D.; (US)
Mandataire : SCHNECK, Thomas; Law Offices of Thomas Schneck, P.O. Box 2-E, San Jose, CA 95109-0005 (US)
Données relatives à la priorité :
09/650,961 29.08.2000 US
Titre (EN) METHOD OF FORMING A PRE-METAL DIELECTRIC FILM ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM DIELECTRIQUE PREMETALLIQUE SUR UN SUBSTRAT A SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a pre-metal dielectric film having good as deposited gapfill characteristics, as well as good mobile-ion gettering capability. The method involves first depositing a layer of high-ozone undoped silicon dioxide film (20) having a high ozone/TEOS volume ratio on a semiconductor substrate (12). Then, a low-ozone doped BPSG film (30) is deposited over the high-ozone undoped silicon dioxide layer (20). The film layers (20, 30 are heat treated to densify the film, and then the top layer (30) is planarized using known planarization techniques to a thickness that allows for adequate mobile-ion gettering.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de former un film diélectrique prémétallique présentant de bonnes caractéristiques de dépôt concernant le remplissage d'espace ainsi qu'un bon potentiel de fixation du gaz par ions mobiles. Le procédé implique d'abord un premier dépôt d'une couche de film (20) de dioxyde de silicium non dopé à forte teneur en ozone présentant un rapport volumique élevé d'ozone/TEOS sur un substrat(12) à semi-conducteur. Ensuite, un film (30) de BPSG dopé à faible teneur en ozone est déposé sur la couche (20) non dopée de dioxyde de silicium à forte teneur en ozone. Les couches de film (20, 30) sont soumises à un traitement thermique pour densifier le film, et alors la couche supérieure (30) est planarisée grâce à des techniques connues de planarisation jusqu'à une épaisseur qui permet une fixation adéquate du gaz par ions mobiles.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)