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1. (WO2002019408) PROCEDE DE GRAVURE DE FILMS D'OXYDE DE SILICIUM CONTENANT DU CARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019408    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/026314
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 22.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.02.2002    
CIB :
H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : HSIEH, Chang Lin; (US).
CHEN, Hui; (US).
YUAN, Jie; (US).
YE, Yan; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/650,975 29.08.2000 US
Titre (EN) METHOD OF ETCHING CARBON-CONTAINING SILICON OXIDE FILMS
(FR) PROCEDE DE GRAVURE DE FILMS D'OXYDE DE SILICIUM CONTENANT DU CARBONE
Abrégé : front page image
(EN)We have discovered a method for plasma etching a carbon-containing silicon oxide film which provides excellent etch profile control, a rapid etch rate of the carbon/containing silicon oxide film, and high selectivity for etching the carbon-containing silicon oxide film preferentially to an overlying photoresist masking material. Then the method of the inention is used, a highter carbon content in the carbon/containing silicon oxide film results in a faster etch rate, at least up to ta carbon content of 20 atomic percent. In particular, the carbon-containgin silicon oxide film results in a faster etch rate, at least up to a carbon content of 20 atomic percent. In particular, the carbon containg silicon oxide film is plama etched using a plama generated from source gas comprising NH¿3? and C¿x?F¿y?. It is necessary to achieve the proper balance between the relative amounts of NH¿3? and C¿x?F¿y ?in the plasma source gas in order to provide a balance between etch by/product polymer deposition and removal on various surfaces of the substrate being etched. The NH¿3 ?gas functions to 'clean up' deposited polzmer on the photoresist surface, on the etched surface, and on process chamber surfaces. The atomic ratio of carbon: nitrogen in the plasma source gas typically ranges from about 0.3:1 to about 3:1. We have found that C¿2?F¿6? and C¿4?F¿8? provide excellent etch rates during etching of carbon-containing silicon oxide films.
(FR)La présente invention concerne un procédé de gravure par plasma d'un film d'oxyde de silicium contenant du carbone, qui assure une excellente commande du profil de gravure, une vitesse de gravure rapide du film d'oxyde de silicium contenant du carbone, ainsi qu'une grande sélectivité pour graver le film d'oxyde de silicium contenant du carbone de préférence sur un matériau de masquage photorésistant sus-jacent. Lors de la mise en oeuvre de ce procédé, un film d'oxyde de silicium contenant du carbone qui présente une teneur en carbone plus élevée permet d'obtenir une vitesse de gravure plus rapide, au moins jusqu'à une teneur en carbone de 20 % atomiques. Ledit film d'oxyde de silicium contenant du carbone est notamment gravé par plasma, par utilisation d'un plasma produit à partir d'une source de gaz comprenant NH¿3? et C¿x?F¿y?. Il est nécessaire d'effectuer l'équilibrage adéquat entre les quantités relatives de NH¿3? et de C¿x?F¿y? dans le gaz de la source de plasma, afin d'obtenir un équilibre entre le dépôt et le retrait de polymères sous-produits de gravure sur diverses surfaces du substrat qui fait l'objet de la gravure. Le gaz NH¿3? permet de nettoyer le polymère déposé sur la surface photorésistante, sur la surface gravée et sur des surfaces de l'enceinte de processus. Le rapport atomique carbone/azote dans le gaz de la source de plasma va généralement d'environ 0,3: 1 à environ 3: 1. Selon cette invention, il a été mis en évidence que l'utilisation de C¿2?F¿6? et de C¿4?F¿8? lors de la gravure de films d'oxyde de silicium contenant du carbone permet d'obtenir d'excellentes vitesses de gravure.
États désignés : JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)