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1. (WO2002019399) SUBSTRAT EN CERAMIQUE POUR LA PRODUCTION ET L'INSPECTION DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019399    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/007241
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 24.08.2001
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/68 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01), H05B 3/14 (2006.01)
Déposants : IBIDEN CO., LTD. [JP/JP]; 1, Kandacho 2-chome Ogaki-shi, Gifu 503-0917 (JP) (Tous Sauf US).
ITO, Yasutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ITO, Yasutaka; (JP)
Mandataire : YASUTOMI, Yasuo; Chuo BLDG. 4-20, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 532-0011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-263325 31.08.2000 JP
Titre (EN) CERAMIC SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION AND INSPECTION
(FR) SUBSTRAT EN CERAMIQUE POUR LA PRODUCTION ET L'INSPECTION DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A ceramic substrate for semiconductor production and inspection, which is capable of satisfactory temperature control of a semiconductor wafer installed as by being placed on the ceramic substrate by controlling the temperature of a resistance heating element and which is capable of uniformly heating the semiconductor wafer, the ceramic substrate comprising a resistance heating element formed at least on the surface or in the interior thereof, characterized in that a region having the semiconductor wafer placed either directly thereon or with a given distance spaced from the surface exists inside a surface region corresponding to the region where the resistance heating element is formed.
(FR)Substrat en céramique pour la production et l'inspection de semi-conducteurs, qui est capable de réguler de manière satisfaisante la température d'une tranche de semi-conducteur installée sur ledit substrat en céramique, par régulation de la température d'un élément de chauffe à résistance, et qui est capable de chauffer la tranche de semi-conducteur de manière uniforme. Ledit substrat en céramique comporte un élément de chauffe à résistance formé sur au moins une de ses surfaces ou à l'intérieur dudit substrat. Ce substrat est caractérisé en ce qu'une région sur laquelle la tranche de semi-conducteur est placée directement ou bien à une certaine distance de la surface existe à l'intérieur d'une région de surface correspondant à la région dans laquelle l'élément de chauffe à résistance est formé.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)