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1. (WO2002019398) PLANARISATION DE STRUCTURES DE CAVITES METALLISEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019398    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/027138
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 31.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.03.2002    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/321 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, ID 83707-0006 (US)
Inventeurs : YANG, Sam; (US).
DRYNAN, John, M.; (US)
Mandataire : MINUTOLI, Gianni; Dickstein Shapiro Morin & Oshinsky LLP 2101 L Street N.W. Washington, DC 20037-1526 (US)
Données relatives à la priorité :
09/653,280 31.08.2000 US
Titre (EN) PLANARIZATION OF METAL CONTAINER STRUCTURES
(FR) PLANARISATION DE STRUCTURES DE CAVITES METALLISEES
Abrégé : front page image
(EN)A conductive material is provided in an opening formed in an insulative material. The process involves first forming a conductive material over at least a portion of the opening and over at least a portion of the insulative material which is outside of the opening. Next, a metal-containing fill material is formed over at least a portion of the conductive material which is inside the opening and which is also over the insulative material outside of the opening. The metal-containing at least partially fills the opening. At least a portion of both the metal-containing material and the conductive material outside of the openinng is then removed. Thereafter, at least a portion of the metal-containing fill material which is inside the opening is then removed.
(FR)On dépose un matériau conducteur dans une ouverture faite dans un matériau isolant. Le procédé consiste à: déposer le matériau conducteur sur une partie au moins de l'ouverture et du matériau isolant extérieur à l'ouverture; à déposer une charge contenant du métal sur au moins une partie du matériau conducteur tapissant l'ouverture et sur une partie du matériau isolant entourant l'ouverture, ladite charge remplissant au moins une partie de l'ouverture; à éliminer au moins une partie de la charge et du matériau conducteur entourant l'ouverture; puis à éliminer au moins une partie de la charge remplissant l'ouverture.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)