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1. (WO2002019374) PROCEDES ET APPAREILS DE REGLAGE DU PARALLELISME DU FAISCEAU DANS UN IMPLANTEUR IONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019374    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/022392
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 13.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.03.2002    
CIB :
H01J 37/147 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Inventeurs : OLSON, Joseph, C.; (US).
RENAU, Anthony; (US)
Mandataire : MCCLELLAN, William, R.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210 (US)
Données relatives à la priorité :
09/649,183 28.08.2000 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR ADJUSTING BEAM PARALLELISM IN ION IMPLANTERS
(FR) PROCEDES ET APPAREILS DE REGLAGE DU PARALLELISME DU FAISCEAU DANS UN IMPLANTEUR IONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Methods and apparatus for implanting ions in a workpiece, such as a semiconductor wafer, include generating an ion beam, measuring parallelism of the ion beam, adjusting the ion beam for a desired parallelism based on the measured parallelism, measuring a beam direction of the adjusted ion beam, orienting a workpiece at an implant angle referenced to the measured beam direction and performing an implant with the workpiece oriented at the implant angle referenced to the measured beam direction. The implant may be performed with a high degree of beam parallelism.
(FR)L'invention concerne des procédés et des appareils d'implantation ionique dans une pièce, telle qu'une plaquette semi-conductrice, lesdits procédés consistant à générer un faisceau ionique, à mesurer le parallélisme du faisceau ionique, à régler le faisceau ionique pour obtenir un parallélisme désiré sur la base du parallélisme mesuré, à mesurer l'orientation du faisceau ionique réglé, à orienter une pièce selon un angle d'implantation mesuré par rapport à l'orientation du faisceau mesurée et à effectuer une implantation dans la pièce orientée selon l'angle d'implantation mesuré par rapport à l'orientation du faisceau mesurée. L'implantation peut être effectuée avec un niveau élevé de parallélisme du faisceau.
États désignés : IL, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)