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1. (WO2002019337) ARCHITECTURE A MEMOIRE D'ACCES ALEATOIRE ET A JONCTION A EFFET TUNNEL MAGNETIQUE (MTJ MRAM) EN SERIE ET EN PARALLELE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019337    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/026571
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 24.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.02.2002    
CIB :
G11C 11/15 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : NAJI, Peter, K.; (US).
DEHERRERA, Mark,; (US).
DURLAM, Mark,; (US)
Mandataire : KOCH, William, E.; Motorola, Inc., Intellectual Property Dept., AZ 11/56-238, 3102 North 56th Street, Phoenix, AZ 85018 (US)
Données relatives à la priorité :
09/649,117 28.08.2000 US
Titre (EN) MTJ MRAM SERIES-PARALLEL ARCHITECTURE
(FR) ARCHITECTURE A MEMOIRE D'ACCES ALEATOIRE ET A JONCTION A EFFET TUNNEL MAGNETIQUE (MTJ MRAM) EN SERIE ET EN PARALLELE
Abrégé : front page image
(EN)Magnetic tunnel junction random access memory architecture in which an array of memory cells (18) is arranged in rows and columns (15) and each memory cell includes a magnetic tunnel junction (20, 22, 24, 26) and a control transistor (21, 23, 25, 27) connected in parallel. A control line (WL) is connected to the gate of each control transistor in a row of control transistors and a metal programming line (36-39) extending adjacent to each magnetic tunnel junction is connected to the control line in spaced apart intervals by vias. Further, groups (16,17) of memory cells in each column are connected in series to form local bit lines which are connected in parallel to global bit lines (19). The series-parallel configuration is read using a centrally located column to provide a reference signal and data from columns on each side of the reference column is compared to the reference signal or two columns in proximity are differentially compared.
(FR)La présente invention concerne une architecture à mémoire d'accès aléatoire et à jonction à effet tunnel magnétique dans laquelle un réseau de cellules (16) mémoire est agencé en rangs et en colonnes (15), et chaque cellule mémoire comprend une jonction à effet tunnel magnétique (20, 22, 24, 26) et un transistor de commande (21, 23, 25, 27) connecté en parallèle. Un fil de commande est connecté à la porte de chaque transistor de commande dans un rang de transistors de commande, et un fil métallique (36-39) de programmation situé près de chaque jonction à effet tunnel magnétique est connecté à ce fil de commande dans des intervalles espacés de part et d'autre par des trous de connexion. Par ailleurs, des groupes (16, 17) de cellules mémoire dans chaque colonne sont connectées en série de façon à former des lignes de bits locales, lesquelles sont connectées en parallèle aux lignes (19) de bits globales. On lit cette configuration série-parallèle en utilisant une colonne située au centre de façon à fournir un signal de référence, et des données en provenances des colonnes situées de chaque côté de la colonne de référence sont comparées à ce signal de référence, ou deux colonnes proches sont comparées de façon différentielle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)