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1. (WO2002018871) AMELIORATION APPORTEE A UNE MARQUE DE MESURE D'ALIGNEMENT DE RECOUVREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/018871    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/027365
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 30.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.03.2002    
CIB :
G01B 11/00 (2006.01)
Déposants : KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; 160 Rio Robles San Jose, CA 95134-1809 (US)
Inventeurs : MIEHER, Walter, Dean; (US).
LEVY, Ady; (US)
Mandataire : OLYNICK, Mary, R.; Beyer Weaver & Thomas, LLP P.O. Box 778 Berkeley, CA 94704-0778 (US)
Données relatives à la priorité :
09/654,318 01.09.2000 US
Titre (EN) IMPROVED OVERLAY ALIGNMENT MEASUREMENT MARK
(FR) AMELIORATION APPORTEE A UNE MARQUE DE MESURE D'ALIGNEMENT DE RECOUVREMENT
Abrégé : front page image
(EN)An alignment mark (20) comprising a first test zone (40b and 50c) and a second test zone (50b and 40c) for measuring the relative position between different layers of a semiconductor device. The alignment mark (20) is used to determine the overlay error between layers of a semiconductor wafer while minimizing measurement inaccuracies caused by semiconductor manufacturing processes. The first test zone (40b and 50c) includes two sections one (40b) in which test structures are formed on one layer and a second (50c) in which test structures are formed on a second layer. Each of these test structures is composed of smaller sub-structures (92). The second test zone (50b and 40c) includes two similar sections that are also composed of smaller sub-structures (92). The first and second test zones are configured so that the section of each test zone formed on one layer is adjacent to the section of the other test zone that is formed on the other layer. By forming each of the periodic structures with smaller sized sub-structures, a more accurate measurement of any alignment error may be obtained. Another aspect of the present invention pertains to a method of utilizing the alignment mark so that an overlay measurement may be obtained.
(FR)Selon ce procédé, une marque d'alignement (20) comprend une première zone de test (40b et 50c) et une seconde zone de test (50b et 40c) permettant de mesurer la position relative entre différentes couches d'un dispositif à semi-conducteurs. La marque d'alignement (20) est utilisée pour déterminer l'erreur de recouvrement entre les couches d'une tranche de semi-conducteur et minimiser en même temps les erreurs de précision de mesure imputables aux procédés de fabrication des semi-conducteurs. La première zone de test (40b et 50c) comprend deux sections, l'une, 40b, dans laquelle sont formées de structures de test sur une couche, l'autre, 50c, dans laquelle sont formées des structures de test sur une seconde couche. Chacune de ces structures est constituée de petites sous-structures (92). La seconde zone de test (50b et 40c) comprend deux sections similaires constituées également de petites sous-structures (92). Les première et seconde zones de test sont configurées de sorte que la section de chacune d'elles formée sur une couche soit adjacente à la section de l'autre zone qui est formée sur l'autre couche. En formant chacune des structures périodiques de sous-structures plus petites, il est possible d'obtenir une mesure d'erreur d'alignement plus précise. En variante, l'invention porte sur un procédé d'utilisation de la marque d'alignement visant à obtenir une mesure de recouvrement.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)