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1. (WO2002018101) TETE, APPAREIL ET PROCEDE DE POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE (CMP) ET TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR PLANARISEE OBTENUE PAR CES MOYENS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/018101    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/027151
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 30.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.03.2002    
CIB :
B24B 37/26 (2012.01), B24B 37/30 (2012.01), B24B 37/32 (2012.01), B24B 57/02 (2006.01), B24D 13/14 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : MULTI-PLANAR TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 45 E. Plumeria Drive San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : KAJIWARA, Jiro; (US).
MOLONEY, Gerard, S.; (US).
WANG, Huey-Ming; (US).
HANSEN, David, A.; (US)
Mandataire : ANANIAN, R., Michael; Flehr Hohback Test Albritton & Herbert LLP, Suite 3400, 4 Embarcadero Center, San Francisco, CA 94111-4187 (US)
Données relatives à la priorité :
09/653,636 31.08.2000 US
09/652,854 31.08.2000 US
09/652,855 31.08.2000 US
09/652,963 31.08.2000 US
Titre (EN) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) HEAD, APPARATUS, AND METHOD AND PLANARIZED SEMICONDUCTOR WAFER PRODUCED THEREBY
(FR) TETE, APPAREIL ET PROCEDE DE POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE (CMP) ET TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR PLANARISEE OBTENUE PAR CES MOYENS
Abrégé : front page image
(EN)Chemical Mechanical Polishing/Planarization (CMP) apparatus, method, and substrate produced thereby. Polishing surface with non-uniform recesses therein. CMP head and method having integral slurry dispensing mechanism. CMP apparatus and method having rotating retaining ring. CMP apparatus and method having soft backed polishing head. CMP providing efficient use of slurry in polishing and planarizing processes. Substrate (semiconductor wafer) produced by CMP apparatus or method. In one embodiment, apparatus (100) includes subcarrier (160) with flexible member (185) attached to lower substrate holding surface (165). Flexible member (185) has hole(s) (195) therein so that pressurized fluid introduced between flexible member and subcarrier (160) directly presses substrate (105) against polishing surface (125). Number and size of holes (195) are selected to provide sufficient friction between flexible member (185) and substrate (105) to cause rotation when drive mechanism rotates subcarrier (160). Subcarrier (160) having port adapted to draw vacuum on cavity (215) between lower surface (165) and flexible member (185). Flexible member and substrate (105) serve as valve (225) to isolate port from cavity when a predetermined vacuum has been achieved.
(FR)L'invention porte: sur un appareil de polissage mécano-chimique/planarisation (CPM), les procédé et appareil associés, et les substrats produits par ces moyens; sur une surface de polissage pourvue d'évidements non uniformes; sur une tête de CMP à mécanisme intégré de distribution du coulis et le procédé associé; sur un appareil de CPM à bague de retenue tournante et le procédé associé; sur un appareil de CPM à tête de polissage à dos mou; sur un appareil de CPM utilisant efficacement le coulis lors du processus de polissage et de planarisation; et sur un substrat (tranche de semi-conducteur) produit au moyen de l'appareil de CPM et du procédé associé. Dans une exécution, l'appareil (100) comprend un support auxiliaire (160) pourvu d'un élément souple (185), fixé à la surface inférieure (165) de préhension du substrat, et percé de trous (195) permettant au fluide sous pression introduit entre l'élément souple (185) et le support auxiliaire de presser directement le substrat (105) contre la surface de polissage (125). Le nombre et la taille des trous (195) sont choisis pour assurer un frottement suffisant entre l'élément souple (185) et le substrat (105) pour assurer la rotation quand le mécanisme d'entraînement fait tourner le support auxiliaire (160). Le support auxiliaire (160) est percé d'un orifice de mise sous vide de la cavité (215) comprise entre la surface inférieure (165) et l'élément souple (185). L'élément souple (185) et le substrat (105) servent de soupape (225) isolant l'orifice de la cavité lorsqu'un vide prédéterminé a été atteint.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)