WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002017391) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET D'UNE PLAQUE DE SUPPORT, ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR OBTENU PAR CE PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/017391    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/009339
Date de publication : 28.02.2002 Date de dépôt international : 10.08.2001
CIB :
H01L 21/48 (2006.01), H01L 23/13 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : MASTBOOM, Johannes, G., P.; (NL).
LINDENHOVIUS, Karianne, H.; (NL).
VUGTS, Adrianus, J., M.; (NL)
Mandataire : SMEETS, Eugenius, T., J., M.; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
00202913.0 18.08.2000 EP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SUPPORT PLATE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED BY MEANS OF SAID METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET D'UNE PLAQUE DE SUPPORT, ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR OBTENU PAR CE PROCEDE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device (10) in which a semiconductor element (1), such as a diode (1), is attached to a support plate (2) and provided with a plastic encapsulation (3). The plate (2) is provided with a flange (4) which is provided with an undercut region (5) in order to improve the connection between the plate (2) and the encapsulation (3). The known method is comparatively complicated and expensive. In a method according to the invention, the plate (2) is made from a ductile material. A step is formed in the surface of the plate (2) by pressing using a first die (6), and by pressing using a second die (8), the flange (4) provided with the undercut region (5) is formed at, or near, the wall of the step (7). This method, which only employs a pressing technique, is simple and inexpensive and, in addition, results in a better and more reliable connection between the plate (2) and the encapsulation (3). The flange (4) should be formed at, or very close to, the wall of the step (7) in the plate (2).
(FR)Cette invention se rapporte à un procédé servant à fabriquer un dispositif à semi-conducteur (10), dans lequel un élément semi-conducteur (1), tel qu'une diode (1), est fixé à une plaque de support (2) et pourvu d'une encapsulation en plastique (3). La plaque (2) est dotée d'une bride (4) comportant une région de découpe (5), de façon à améliorer l'assemblage entre la plaque (2) et l'encapsulation (3). Le procédé connu est comparativement compliqué et coûteux. Dans le procédé faisant l'objet de cette invention, la plaque (2) est fabriquée dans un matériau ductile. Un gradin est formé à la surface de la plaque (2) par compression à l'aide d'une première matrice (6) et par compression à l'aide d'une seconde matrice (8), et la bride (4) comportant la région de découpe (5) est formée au niveau ou à proximité de la paroi du gradin (7). Ce procédé, qui utilise uniquement une technique de compression, est simple et peu coûteux et, en outre, il permet d'obtenir un assemblage meilleur et plus fiable entre la plaque (2) et l'encapsulation (3). La bride (4) doit être formée au niveau ou à proximité étroite de la paroi du gradin (7) de la plaque (2).
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)