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1. (WO2002017381) PROCEDE DE PREVENTION DES DOMMAGES AUX TRANCHES DE SILICIUM LORS D'UN PROCESSUS SEQUENTIEL DE POLISSAGE EN PLUSIEURS ETAPES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/017381    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/009648
Date de publication : 28.02.2002 Date de dépôt international : 20.08.2001
CIB :
B24B 1/00 (2006.01), B24B 37/04 (2012.01), B24B 49/03 (2006.01), B24B 49/12 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : DUNTON, Samuel; (NL).
LIANG, Victor; (NL).
ZHANG, Liming; (NL)
Mandataire : DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
09/645,735 24.08.2000 US
Titre (EN) METHOD FOR PREVENTING DAMAGE TO WAFERS IN A SEQUENTIAL MULTIPLE STEPS POLISHING PROCESS
(FR) PROCEDE DE PREVENTION DES DOMMAGES AUX TRANCHES DE SILICIUM LORS D'UN PROCESSUS SEQUENTIEL DE POLISSAGE EN PLUSIEURS ETAPES
Abrégé : front page image
(EN)A method for preventing the drying of a residue on a wafer surface in a multiple stage polishing operation increases wafer processing throughput and extends the useful life of polishing pads used in a CMP operation. The method includes detecting a polishing endpoint for a wafer polished in a second polishing step following a first polishing operation for the wafer. Endpoint detection terminates polishing of another wafer in the first polishing operation and triggers overpolishing of the prior wafer in the second polishing operation. After a set period, overpolishing of the prior wafer in the second polishing operation ends. Finally each of the wafers moves to a subsequent processing operation, which may include a polishing operation or a buffing operation. One of the advantages of the invention is the maximization of total platen pad usage between platen pad changes since total processing time has been increased for the same polishing pads, thus permitting polishing of greater numbers of wafers between platen pad changes.
(FR)L'invention porte sur un procédé de prévention du séchage de résidus à la surface d'une tranche de silicium lors d'une opération de polissage chimicomécanique (CMP) en plusieurs étapes, qui augmente le rendement et allonge la durée de vie des tampons à polir. Ledit procédé consiste à détecter le point d'arrêt de la première étape de polissage d'une tranche, suivie d'une deuxième étape de polissage. Cette détection met fin à la première étape de polissage d'une deuxième tranche et déclenche le surpolissage de la tranche précédente dans une deuxième étape. Après un temps donné, le surpolissage de la première tranche dans une deuxième étape se termine. Finalement chacune des tranches est transférée vers l'opération suivante du traitement qui peut être un polissage ou un lustrage. L'un des avantages de l'invention réside dans l'allongement de la durée d'utilisation du tampon d'un plateau entre deux changements puisque le temps total de fonctionnement d'un même tampon s'est accru. On peut donc polir un plus grand nombre de tranches avec un même tampon de plateau.
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)